LM193N

LM193N是ST意法半导体推出的一款经典双路低功耗电压比较器，采用8引脚DIP通孔封装。该器件内部集成了两个独立的高精度比较器，其核心架构基于双极型工艺，每个比较器单元均包含一个高增益差分输入级和一个开路集电极输出级。这种设计允许输出端在外部上拉至不同的电压轨，为逻辑电平转换和接口匹配提供了极大的灵活性，使其能够直接驱动CMOS、DTL、ECL、MOS和TTL等多种逻辑电路。

该芯片的一个显著特点是其极宽的工作电压范围，单电源供电时支持2V至36V，双电源供电时支持±1V至18V，这使其能够适应从电池供电的低压便携设备到工业控制系统的高压环境。其低功耗特性尤为突出，即使在最大静态条件下，整个双比较器芯片的电流消耗也仅为2.5mA。同时，输入级设计精良，输入偏置电流最大值低至0.25A（@5V），输入失调电压最大值控制在5mV（@30V）以内，确保了比较决策的精确性和稳定性，有效减少了由输入误差引起的误触发。

在接口与参数方面，LM193N的输出级为开路集电极结构，最大可吸收18mA的电流，具备较强的扇出和驱动能力，可直接驱动继电器、LED或作为逻辑开关。其工作温度范围覆盖-55°C至125°C的军工级标准，保证了在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供应的项目，可以通过ST中国代理获取库存或替代方案咨询。该器件采用经典的8-DIP通孔封装，便于在原型开发、测试以及传统PCB设计中安装和焊接。

基于其通用、可靠且灵活的特性，LM193N广泛应用于各类需要电压监测、阈值检测和模拟信号数字化的场景。典型应用包括电池供电设备中的电压监控与低压检测、窗口比较器、方波和脉冲发生器、模数转换接口以及工业控制系统中的过压/欠压保护电路。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备和维护备件库中，它依然是一个经受了长期市场验证的关键组件。

• 型号:LM193N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-DIP
• 类目:集成电路（IC） > 线性 > 比较器
• 描述:IC COMPARATOR 2 GEN PUR 8DIP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 类型:标准（通用）
• 元件数:2
• 输出类型:开集，轨至轨
• 电压 - 供电，单/双(±):2V ~ 36V，±1V ~ 18V
• 电压 - 输入补偿（最大值）:5mV @ 30V
• 电流 - 输入偏置（最大值）:0.25A @ 5V
• 电流 - 输出（典型值）:18mA @ 5V
• 电流 - 静态（最大值）:2.5mA
• CMRR，PSRR（典型值）:-
• 传播延迟（最大值）:-
• 滞后:-
• 工作温度:-55°C ~ 125°C
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:8-DIP
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LM193N是ST意法半导体生产的一款双路、低功耗电压比较器，采用8-DIP通孔封装。该器件集成了两个独立的高精度比较单元，专为广泛的电压比较应用而设计。

其核心优势在于极宽的单/双电源工作电压范围（2V~36V，±1V~18V）与出色的低功耗性能，静态电流最大值仅为2.5mA。器件具备低输入偏置电流（最大0.25A）和低输入失调电压（最大5mV），确保了比较精度。开路集电极输出结构可吸收高达18mA的电流，并能直接兼容CMOS、TTL等多种逻辑电平，提供了卓越的接口灵活性。

此外，LM193N支持-55°C至125°C的宽工作温度范围，适用于要求高可靠性的工业与汽车环境，是一款经过验证的通用型比较器解决方案。