STB28N60DM2

作为ST意法半导体MDmesh DM2系列中的一款高性能功率器件，STB28N60DM2是一款N沟道功率MOSFET，专为高效率、高可靠性的开关应用而设计。其核心架构基于先进的MDmesh DM2技术，该技术通过优化的垂直结构和单元密度，在保持高击穿电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)）。这种设计使得器件在600V的漏源电压（Vdss）下，能够实现极低的传导损耗，为系统整体能效的提升奠定了坚实基础。

该器件在25°C壳温下可支持高达21A的连续漏极电流，其导通电阻在10V驱动电压、10.5A测试条件下典型值仅为160毫欧，这一特性对于降低功率转换过程中的热损耗至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值被控制在34nC（@10V），结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关切换并降低驱动电路的损耗，从而优化高频开关性能。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±25V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在封装与可靠性方面，STB28N60DM2采用坚固的表面贴装型D2PAK封装，该封装具有良好的热性能和功率耗散能力，在壳温条件下最大功耗可达170W。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低导通电阻与快速开关特性的优异平衡，该MOSFET非常适合应用于要求高效率和高功率密度的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、以及不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等新能源转换系统。在这些场景中，它能够有效提升系统效率，减少散热需求，并增强整体方案的可靠性。

• 型号:STB28N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB28N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用先进的超结技术，在600V的漏源击穿电压（Vdss）下，实现了低至160毫欧（典型值，@10V Vgs）的导通电阻，并在25°C壳温下支持21A的连续电流，显著降低了传导损耗。

其设计兼顾了开关性能与易驱动性，最大栅极电荷（Qg）仅为34nC，有助于实现高效率的高频开关操作。器件采用D2PAK表面贴装封装，提供170W（Tc）的强健功率处理能力，工作结温范围覆盖-55°C至150°C。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和能源转换系统中追求高可靠性与高能效的理想开关解决方案。