STB28NM50N

STB28NM50N是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时有效控制了寄生电容，这对于提升开关电源等应用的整体效率至关重要。

该MOSFET具备500V的漏源击穿电压（V_DSS），为离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）等高压应用提供了充足的电压裕量。在导通特性方面，其在10V驱动电压下，导通电阻典型值远低于158毫欧（@10.5A），这意味着在导通期间能够产生更低的传导损耗，直接转化为更高的系统效率和更少的热量。此外，其栅极电荷（Q_g）典型值较低，有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升高频开关性能，使得电源设计能够工作在更高的频率，从而减小磁性元件的体积。

器件采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的功率耗散能力，在管壳温度（T_C）条件下最大功耗可达150W，结合高达150°C的最大结温（T_J），确保了在恶劣环境下的可靠运行。其栅源电压（V_GS）支持±25V，提供了较宽的驱动安全范围。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，STB28NM50N非常适用于要求严苛的功率转换领域。其主要应用场景包括工业级开关电源、服务器和通信设备电源、高效率照明镇流器以及不间断电源（UPS）系统中的功率级设计。在这些应用中，它能够有效提升功率密度和能源效率，满足现代电子设备对小型化、高效化的持续需求。

• 型号:STB28NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:158 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1735 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB28NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用表面贴装D2PAK封装，核心规格包括500V的漏源电压（V_DSS）和21A的连续漏极电流（I_D @ T_C），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的开关性能与低损耗上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为158毫欧，结合较低的栅极电荷（Q_g），共同确保了高效的功率转换和较低的热生成。这些特性使其成为提升开关电源、功率因数校正（PFC）电路等能效和功率密度的理想选择。