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ST8L65N050DM9
的报价和技术资料 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商 |
ST8L65N050DM9
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
N CHANNEL 650V 38MOHM TYP 55 A M
原厂封装:
封装:PowerFlat(8x8)HV
优势价格,ST8L65N050DM9的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
ST8L65N050DM9的技术资料下载
ST8L65N050DM9的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
型号:ST8L65N050DM9
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat(8x8)HV
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:N CHANNEL 650V 38MOHM TYP 55 A M
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):50 毫欧 @ 27.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):107 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4584 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):167W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat(8x8)HV
封装/外壳:4-PowerVDFN
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