STF11N60DM2

STF11N60DM2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220FP封装，专为在高压、高效率的开关电源应用中实现卓越性能而设计。其核心架构融合了优化的单元结构和先进的工艺技术，旨在显著降低导通损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id）能力，为高压离线式开关电路提供了坚实的电压与电流余量。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、5A漏极电流条件下，Rds(on)典型值仅为420毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生。同时，16.5nC的低栅极电荷（Qg）和614pF的输入电容（Ciss）有助于实现快速的开关转换，减少开关过程中的能量损失，这对于高频开关应用至关重要。其栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±25V，增强了设计的灵活性。

在电气参数方面，STF11N60DM2在25°C壳温下的最大功率耗散为25W，结合其TO-220FP封装良好的热性能，确保了器件在持续高负载工作下的可靠性。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，使其能够适应严苛的环境条件。对于需要可靠元器件供应的设计者而言，通过授权的ST代理商进行采购是确保产品正品与稳定供货链的重要途径。

凭借这些特性，STF11N60DM2非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。其典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动中的辅助电源等。在这些应用中，它能够有效提升系统效率，减小散热器尺寸，并最终帮助实现更紧凑、更节能的电源设计方案。

• 型号:STF11N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:614 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF11N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件设计用于高压开关应用，核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。

其技术亮点在于实现了低导通损耗与快速开关特性的良好平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至420毫欧（@5A），同时栅极电荷（Qg）仅为16.5nC，这有助于显著降低系统的传导损耗和开关损耗，提升整体能效。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。