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STTH112

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE STANDARD 1200V 1A DO41
原厂封装:封装:DO-41
优势价格,STTH112的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STTH112的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STTH112是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款通用型快速恢复整流二极管,采用经典的轴向DO-41封装,适用于通孔安装。该器件基于优化的平面钝化工艺制造,其核心架构旨在实现高反向电压与快速开关性能的平衡。其PN结经过特殊设计,在承受高达1200V反向电压的同时,能够有效控制电荷存储,从而实现快速恢复特性,这对于抑制开关电源中的电压尖峰和降低开关损耗至关重要。

该二极管的核心功能特性体现在其电气参数上。其平均整流电流为1A,在1A正向电流下的典型正向压降仅为1.9V,这有助于降低导通状态下的功率损耗,提升系统效率。尤为关键的是其开关速度,其反向恢复时间(trr)典型值为75ns,符合快速恢复(≤500ns)的定义,这使其能够胜任频率较高的开关电路应用。此外,在最高1200V反向电压下,其反向漏电流典型值低至5A,展现了出色的阻断能力和高温下的稳定性,确保了系统在高压环境下的可靠性与安全性。

在接口与物理参数方面,STTH112提供了标准化的轴向引脚,兼容广泛使用的DO-41(DO-204AL)封装,便于在传统PCB板上进行安装和焊接。其稳健的封装结构确保了良好的热性能和机械可靠性。对于需要高性价比、高耐压快速整流方案的工程师,可以通过ST中国代理获取详细的技术资料和供应链支持。需要注意的是,该产品目前已处于停产状态,在新设计中选择时需考虑替代型号或库存情况。

得益于1200V的高压耐受能力和快速的恢复特性,STTH112非常适用于需要高效整流和续流的场合。典型的应用场景包括开关模式电源(SMPS)中的次级侧整流、功率因数校正(PFC)电路、逆变器以及各种工业设备的续流和缓冲电路。其快速恢复特性能够有效减少开关过程中的反向恢复电流,从而降低电磁干扰(EMI)并提升整体电源的转换效率,是早期中功率离线式电源和工业驱动设计中常见的元件选择。

  • 型号:STTH112
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DO-41
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE STANDARD 1200V 1A DO41
  • 系列:-
  • 包装:带盒(TB)
  • 产品状态:停产
  • 技术:标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):1A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.9 V @ 1 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):75 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 1200 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
  • 供应商器件封装:DO-41
  • 工作温度 - 结:175°C(最大)
  • 想获取STTH112的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STTH112是ST意法半导体生产的一款通用快速恢复整流二极管,采用DO-41轴向封装。其核心卖点在于高达1200V的反向击穿电压1A的平均整流电流能力,为高压电路提供了可靠的整流基础。

该器件具备优异的快速开关性能,其反向恢复时间典型值仅为75ns,能有效应用于频率较高的开关电源场景,以减少开关损耗和噪声。同时,在额定电流下正向压降为1.9V,有助于优化导通损耗,提升系统能效。其在1200V下的反向漏电流低至5A,确保了高压阻断状态下的稳定性和低功耗。

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