STW15NK50Z

STW15NK50Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟槽栅极结构，通过优化的单元密度和独特的掺杂工艺，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。其核心设计目标是在高压开关应用中实现高效率与高可靠性，内部集成了稳健的体二极管，为感性负载开关提供了安全的续流路径。

该器件具备出色的电气性能组合。其500V的漏源击穿电压（V_DSS）使其能够从容应对工业级AC-DC转换、电机驱动等场合中的电压应力与开关尖峰。在10V栅极驱动下，其导通电阻典型值低至340毫欧（@7A），这一特性直接转化为更低的导通损耗和发热量，有助于提升系统整体能效。同时，其栅极电荷（Q_g）典型值仅为106nC，结合适中的输入电容（C_iss），意味着开关过程中的栅极驱动损耗更低，开关速度更快，有利于在高频开关电源设计中优化效率。

在接口与参数方面，STW15NK50Z采用标准的TO-247-3通孔封装，便于安装散热器以实现高达160W（T_C=25°C）的功率耗散能力。其连续漏极电流（I_D）在壳温条件下可达14A，栅源电压（V_GS）工作范围宽至±30V，提供了充足的驱动裕量和抗干扰能力。其阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，确保了良好的噪声抑制能力和与主流控制器的兼容性。广泛的ST芯片代理网络可为此类成熟且经过市场验证的器件提供稳定的供货和技术支持。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，该MOSFET非常适合应用于要求严苛的功率电子领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动和变频器的逆变桥臂、UPS（不间断电源）和焊接设备的功率转换部分，以及各类照明镇流器和电子变压器。其宽工作温度范围（-50°C至150°C结温）确保了其在恶劣环境下的稳定运行。

• 型号:STW15NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW15NK50Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格为500V漏源电压（V_DSS）和14A连续漏极电流（I_D），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为340毫欧，有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Q_g，最大值106nC）有助于实现快速开关并减少驱动损耗，从而提升系统整体效率。器件支持高达160W的功率耗散，工作结温范围覆盖-50°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性与耐用性。