STF7N52DK3

STF7N52DK3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperFREDmesh3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔TO-220FP封装，专为需要高耐压和中等电流处理能力的应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过精细的沟槽栅极和场板技术，实现了在525V高漏源电压下的出色电气性能与可靠性，为开关电源和电机控制等系统提供了坚实的功率开关基础。

该MOSFET的功能特点突出体现在其优异的动态与静态参数上。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、3A漏极电流条件下典型值仅为1.15欧姆，这有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在33nC（@10V），结合870pF（@50V）的输入电容，意味着器件具有较快的开关速度和较低的驱动损耗，有利于提高开关频率并简化驱动电路设计。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了良好的抗干扰能力和应用裕度。

在接口与关键参数方面，STF7N52DK3标称连续漏极电流（Id）为6A（基于壳温Tc），最大功率耗散为25W（Tc），最高结温（Tj）可达150°C，确保了其在严苛热环境下的稳定工作能力。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V（@50A），属于标准逻辑电平驱动范畴，便于与主流控制器直接或通过简单电路接口。尽管该器件目前处于停产状态，但通过正规的ST代理商渠道，仍可获取库存或替代方案的技术支持。

得益于525V的高耐压和平衡的性能参数，STF7N52DK3非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及中小功率的电机驱动和逆变器平台。在这些应用场景中，其高可靠性、良好的开关特性以及TO-220FP封装带来的散热便利性，能够有效提升系统功率密度和长期运行稳定性。

• 型号:STF7N52DK3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 6A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取STF7N52DK3的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STF7N52DK3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperFREDmesh3产品系列。该器件采用TO-220FP通孔封装，核心电气规格包括525V的漏源电压（Vdss）和6A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。

其技术优势在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.15欧姆（@3A），同时栅极电荷（Qg）被优化至33nC（@10V），这共同实现了较低的传导损耗与开关损耗，有助于提升系统整体效率。器件支持±30V的栅源电压，工作结温高达150°C，确保了应用的鲁棒性和可靠性。