STB30NM60ND

STB30NM60ND是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，通过降低单元密度和优化电荷平衡，在保持高阻断电压能力的同时，显著改善了导通电阻与栅极电荷（Rds(on) * Qg）这一关键品质因数。其核心设计旨在实现快速开关与低导通损耗的平衡，这对于提升开关电源等应用的效率至关重要。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss）和25A的连续漏极电流（Id）能力，提供了宽裕的电压与电流设计裕量。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压、12.5A测试条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至130毫欧，这直接有助于降低器件在导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在100nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），意味着所需的栅极驱动能量较低，有利于简化驱动电路设计并提升开关速度，从而降低开关损耗。

器件采用坚固的表面贴装D2PAK封装，该封装具有良好的热性能和功率处理能力，其最大功率耗散可达190W（基于壳温）。高结温（Tj）额定值150°C确保了其在严苛环境下的可靠运行。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。对于需要高可靠性电源解决方案的设计者而言，通过正规的ST中国代理渠道获取该器件，是确保产品品质与供应链稳定的重要环节。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，STB30NM60ND非常适用于开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和DC-DC转换级、电机驱动与控制、不间断电源（UPS）以及工业照明镇流器等中高功率应用场景。在这些领域中，它能够有效提升系统整体能效，并满足对功率密度和可靠性日益增长的要求。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计中选择时需充分考虑替代方案和长期供货计划。

• 型号:STB30NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 想获取STB30NM60ND的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STB30NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的FDmesh II产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心规格为600V漏源电压（Vdss）和25A连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其关键优势在于优异的动态与静态性能平衡。导通电阻（Rds(on)）低至130毫欧（@12.5A, 10V），有效降低了导通损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为100nC，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。器件采用D2PAK封装，最大功率耗散达190W，工作结温高达150°C，确保了出色的热管理和运行可靠性。