STB31N65M5

STB31N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用表面贴装型D2PAK封装，专为高电压、高效率的功率转换应用而设计。其核心架构通过优化单元密度和栅极结构，在650V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的优异平衡，这是提升开关电源效率、降低开关损耗的关键。

在功能特性方面，该器件在25°C壳温（Tc）下可提供高达22A的连续漏极电流（Id），并具备150W的功率耗散能力，确保了在严苛工况下的可靠运行。其导通电阻在11A电流、10V栅源电压条件下最大值仅为148毫欧，有效降低了导通状态下的功率损耗。同时，最大栅极电荷（Qg）被控制在45nC（@10V），这有助于简化驱动电路设计，并实现更快的开关速度，从而减少开关过程中的能量损失。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了宽裕的安全工作范围。

从接口与参数来看，该MOSFET的阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V @ 250A，确保了良好的噪声免疫能力。输入电容（Ciss）在100V漏源电压下最大值为1865pF，结合其低Qg特性，共同决定了其快速的动态响应性能。器件的工作结温（TJ）高达150°C，使其能够适应高温环境，提升系统整体可靠性。对于需要高可靠性和技术支持的设计项目，可以通过ST中国代理获取详细的技术资料和本地化支持服务。

基于其650V的耐压等级、高效率特性以及D2PAK封装带来的良好散热性能，STB31N65M5非常适用于要求严苛的工业级和消费级电源应用。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑、工业电机驱动与逆变器、不间断电源（UPS）以及电焊机等高性能功率转换系统。在这些应用中，它能够帮助设计者实现更高的功率密度、更优的能效等级以及更紧凑的系统设计。

• 型号:STB31N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:148 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1865 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB31N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心额定参数为650V漏源电压（Vdss）和22A连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合。在10V驱动电压下，其导通电阻最大值仅为148毫欧，而栅极电荷最大值被控制在45nC，这共同确保了低导通损耗与高开关效率。此外，器件支持高达150°C的工作结温，并具备150W的功率耗散能力，保证了在高温高功率环境下的长期运行可靠性。