STB35N60DM2

STB35N60DM2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡，这一特性对于提升开关电源的效率和功率密度至关重要。其核心在于通过改进的单元结构和制造工艺，显著降低了单位面积下的导通损耗和开关损耗，使得器件在高压大电流应用中能够保持优异的热性能和电气稳定性。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss）和28A的连续漏极电流（Id）能力，为其在高功率场景下的可靠运行提供了坚实基础。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、14A电流条件下典型值仅为110毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，最大栅极电荷（Qg）被控制在54nC，结合2400pF的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的能量更少，有助于简化驱动设计并进一步降低开关损耗，提升高频开关性能。

在接口与参数方面，器件采用标准的表面贴装D2PAK封装，具有良好的功率处理能力和散热特性，其最大结温（Tj）可达150°C，在管壳温度（Tc）下最大功率耗散为210W。其栅源电压（Vgs）支持±25V的最大范围，而阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，确保了在各种驱动条件下的稳定性和抗干扰能力。这些参数共同定义了其在严苛环境下的鲁棒性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

得益于其高性能与高可靠性，STB35N60DM2非常适用于要求高效率和高功率密度的开关模式电源（SMPS）拓扑，如功率因数校正（PFC）、LLC谐振转换器以及电机驱动和逆变器系统。它能够有效提升工业电源、服务器电源、太阳能逆变器、电动汽车充电桩等终端设备的整体能效和功率等级，是工程师设计下一代高效能源转换解决方案的理想功率开关选择。

• 型号:STB35N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 想获取STB35N60DM2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STB35N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，提供了600V的漏源电压（Vdss）和28A（Tc）的连续漏极电流（Id）处理能力，适用于高压大电流应用环境。

其核心优势在于优异的动态与静态性能平衡：在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为110毫欧（@14A），有效降低了传导损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值被优化至54nC（@10V），有助于实现更低的开关损耗和更高的工作频率。器件采用D2PAK表面贴装封装，最大结温达150°C，功率耗散能力为210W（Tc），确保了在高功率密度设计中的可靠性与散热效能。