STB36NM60N

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STB36NM60N是一款采用先进的MDmesh II技术平台构建的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直结构设计，在单位芯片面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）的出色平衡。这种核心架构的优化，使其在高压开关应用中能够显著降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体能效。作为符合AEC-Q101标准的汽车级产品系列成员，其设计和制造流程严格遵循汽车电子可靠性要求，确保了在严苛环境下的长期稳定运行。

在功能特性上，该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（V_{DSS），为离线式电源和电机驱动等应用提供了充足的电压裕量。其导通电阻在10V驱动电压、14.5A电流条件下典型值仅为105毫欧，这意味着在导通状态下具有更低的功率耗散。同时，优化的栅极电荷（典型值83.6nC @ 10V）有助于降低驱动电路的负担，实现更快的开关速度并减少开关噪声。器件采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的散热性能，结合高达210W（TC）的功率耗散能力和150°C的最高结温（TJ），使其能够承受较高的功率处理需求。}

在接口与参数方面，STB36NM60N的栅极驱动电压（V_GS）范围宽泛，最大可承受±25V，增强了应用的灵活性。其阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。对于需要可靠元器件供应的设计项目，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关技术支持。这些电气参数共同指向高效、可靠的开关性能，使其成为要求严苛的功率转换应用的理想选择。

得益于其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，STB36NM60N非常适用于多种中高功率应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及符合汽车电子标准的车载充电器（OBC）和DC-DC转换器。在这些场景中，它能够有效提升系统效率，减小散热器尺寸，并满足汽车和工业领域对元器件寿命与鲁棒性的高标准要求。

• 型号:STB36NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2722 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB36NM60N是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于通过AEC-Q101认证的汽车级MDmesh II系列。该器件采用表面贴装D2PAK封装，核心优势在于其600V的漏源电压（V_DSS）和高达29A（T_C）的连续漏极电流能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻（105mΩ @ 10V, 14.5A）与低栅极电荷（83.6nC @ 10V）的良好折衷，这直接转化为更低的传导损耗和开关损耗，有助于提升系统整体能效。结合210W（T_C）的功率处理能力和150°C的最高工作结温，使其能够在汽车、工业电源及电机驱动等要求高可靠性和高效率的领域中稳定运行。