STD7LN80K5

STD7LN80K5是ST意法半导体基于其先进的MDmesh K5系列技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过创新的单元设计和工艺技术，在高压条件下实现了导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）之间的出色平衡。其核心在于降低了开关过程中的能量损耗，这对于提升高频开关电源的整体效率至关重要。作为MDmesh家族的一员，它继承了该系列在高压应用中的可靠性和性能优势，是工程师在高能效、高密度电源设计中值得信赖的选择。

该MOSFET具备800V的漏源击穿电压（V_DSS），能够从容应对工业及消费类电源中常见的电压应力和浪涌。在25°C壳温（T_C）下，其连续漏极电流（I_D）额定值为5A，结合仅1.15Ω（典型值，条件为10V V_GS, 2.5A I_D）的导通电阻，有效降低了导通状态下的功率损耗。其栅极驱动特性同样优异，最大栅极阈值电压（V_GS(th)）为5V，而驱动电压（V_GS）推荐值为10V，确保了稳定且高效的开关控制。此外，较低的栅极电荷（Q_g）最大值12nC（@10V）和输入电容（C_iss）有助于减少驱动电路的负担，提升开关速度，从而降低开关损耗。

在接口与参数方面，器件采用标准的表面贴装DPAK封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±30V，提供了充足的驱动安全裕量。最大结温（T_J）范围为-55°C至150°C，配合85W（T_C）的功率耗散能力，使其能够在严苛的热环境下稳定工作。这些参数共同构成了一个坚固且高效的高压开关解决方案。用户可通过官方授权的ST代理获取完整的技术支持、样品及供货信息。

基于其高性能规格，STD7LN80K5非常适用于需要高可靠性和高能效的离线式开关电源（SMPS）应用，例如PC电源、服务器电源、工业电源适配器及LED照明驱动。它也适用于功率因数校正（PFC）电路、电机控制辅助电源以及各种硬开关和软开关拓扑中，作为主开关或同步整流元件，帮助系统设计师实现更紧凑的布局和更高的能源转换效率。

• 型号:STD7LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD7LN80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心额定参数为800V漏源电压（V_DSS）和5A连续漏极电流（I_D）。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上：在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至1.15Ω，同时栅极总电荷（Q_g）最大值仅为12nC。这种特性组合能显著降低导通损耗和开关损耗，提升电源系统的整体效率。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各类环境下的稳定性和可靠性。

因此，STD7LN80K5是设计高效率、高功率密度开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路以及LED驱动等应用的理想高压开关选择。