STB37N60DM2AG

STB37N60DM2AG是意法半导体（STMicroelectronics）面向汽车及工业领域推出的高性能N沟道功率MOSFET。该器件隶属于通过AEC-Q101认证的Automotive产品系列，并采用了意法半导体先进的MDmesh DM2技术平台，专为在严苛环境下实现高效率、高可靠性的功率开关应用而设计。

其核心架构基于优化的垂直沟槽栅极设计，通过创新的单元结构和低栅极电荷特性，在保持高击穿电压的同时，显著降低了导通电阻和开关损耗。这种设计使得器件在600V的漏源电压（Vdss）下，能够提供高达28A（Tc）的连续漏极电流，而导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、14A电流条件下典型值仅为110毫欧。这种低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统整体效率至关重要。

在功能特性方面，该MOSFET展现了出色的动态性能。其栅极电荷（Qg）最大值仅为54nC @ 10V，结合较低的输入电容（Ciss），使得开关速度更快，驱动电路的设计更为简化，有助于降低开关损耗并提升工作频率。同时，其栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了宽裕的安全工作裕量。器件采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，在管壳温度（Tc）下最大功率耗散可达210W，确保了出色的散热能力和功率处理能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，完全满足汽车电子及工业应用对温度稳定性的高要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

从接口与参数来看，该器件作为标准的三端MOSFET，其电气参数经过精心优化，在效率与鲁棒性之间取得了良好平衡。高Vdss和Id额定值使其能够承受较高的功率应力，而优化的Qg和Ciss参数则直接关系到高频开关性能。这些参数共同定义了其在开关电源、电机驱动等应用中的优异表现。

在应用场景上，凭借AEC-Q101认证和MDmesh DM2技术，STB37N60DM2AG非常适用于汽车系统中的关键应用，如电动助力转向（EPS）、燃油泵控制、发动机管理模块中的高边/低边开关，以及车载充电器（OBC）和DC-DC转换器。在工业领域，它同样是开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电焊机和工业电机驱动器的理想选择，能够有效提升功率密度和系统可靠性。

• 型号:STB37N60DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB37N60DM2AG是意法半导体推出的一款通过AEC-Q101认证的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MDmesh DM2技术，在600V的漏源电压（Vdss）和高达28A的连续漏极电流（Id）下，实现了低至110毫欧（典型值）的导通电阻，显著降低了功率传导损耗。

其核心优势在于优异的开关性能，最大栅极电荷（Qg）仅为54nC，配合较低的输入电容，确保了快速开关和低开关损耗，有助于提升系统效率和工作频率。器件采用D2PAK封装，最大功率耗散为210W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，具备出色的热管理和环境适应性。

这些特性使其成为汽车电子（如EPS、OBC）和工业功率系统（如SMPS、电机驱动）中要求高效率、高可靠性的功率开关应用的理想解决方案。