STY139N65M5

STY139N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单晶圆上集成了超结（Super-Junction）技术，实现了极低的单位面积导通电阻与优异的开关性能平衡。其内部架构通过精细的单元布局和优化的栅极设计，有效控制了寄生电容，为高效率、高频率的功率转换应用奠定了坚实的物理基础。

该MOSFET的核心优势在于其卓越的电气性能组合。高达650V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业及汽车环境中常见的电压应力和开关尖峰，确保了系统的可靠性与鲁棒性。在导通特性方面，在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为17毫欧（@65A），这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗，显著提升了系统整体效率，尤其是在大电流工作条件下。同时，其优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）参数，共同促成了快速的开关瞬态，有助于降低开关损耗并允许更高的工作频率。

在接口与热管理方面，该器件采用通孔安装的MAX247封装，提供了优异的功率处理能力和散热路径。在壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达130A，最大功率耗散可达625W，结合高达150°C的结温（Tj）工作范围，赋予了设计者充分的功率裕量和热设计灵活性。稳定的栅极阈值电压（Vgs(th)）和宽泛的栅源电压（Vgs）工作范围（±25V），简化了驱动电路设计并增强了抗干扰能力。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低损耗和强健的封装特性，STY139N65M5非常适合于要求严苛的功率电子应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中功率因数校正（PFC）和DC-DC变换级、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩等能源转换系统的理想选择。在这些应用中，它能够有效提升功率密度和能效，同时确保系统在高温、高功率环境下的长期稳定运行。

• 型号:STY139N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 130A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 65A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:363 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:15600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
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STY139N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件设计用于高效能、高可靠性的功率开关应用。

其核心电气参数定义了卓越的性能表现：650V的漏源电压（Vdss）提供了强大的耐压能力，而130A（Tc）的连续漏极电流与低至17毫欧（@65A, 10V）的导通电阻相结合，确保了在大电流工况下的极低导通损耗。此外，优化的栅极电荷（Qg）和坚固的MAX247通孔封装，支持高开关频率下的高效运行与出色的热管理，适用于高功率密度设计。