STB40N20

STB40N20是ST意法半导体基于其成熟的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，旨在实现低导通电阻与高开关速度之间的优异平衡。其核心架构优化了单元密度和栅极电荷，有效降低了传导和开关损耗，为功率转换应用提供了高效的基础解决方案。

该器件具备多项关键电气特性。其200V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够稳定工作在高压环境中，而在25°C壳温下高达40A的连续漏极电流（Id）则保证了其强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下典型值仅为45毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，最大栅极电荷（Qg）为75nC，有助于简化栅极驱动电路设计并提升开关频率，减少开关过程中的能量损失。

在接口与封装方面，STB40N20采用标准的表面贴装D2PAK封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大功率耗散能力为160W（Tc）。其栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±20V的栅源电压，增强了应用的鲁棒性。输入电容（Ciss）最大值为2500pF，与栅极电荷共同决定了器件的动态开关特性。用户可通过ST中国代理获取详细的技术支持与供应链服务。

凭借其高压、大电流和低损耗的特点，该MOSFET非常适合应用于要求高效率和高可靠性的功率电子领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动控制、不间断电源（UPS）系统以及工业级DC-DC转换器。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数在同类历史产品中仍具有参考价值，适用于对成本敏感且技术成熟的存量产品维护与升级。

• 型号:STB40N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 想获取STB40N20的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STB40N20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心电气参数包括200V的漏源电压（Vdss）和在壳温25°C下40A的连续漏极电流（Id），具备处理高压大电流负载的能力。

其关键优势在于优异的导通性能，在10V栅极驱动、20A电流条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为45毫欧，有助于显著降低导通损耗。同时，最大75nC的栅极电荷（Qg）有利于实现高效的开关操作。这些特性使其成为开关电源、电机驱动等功率转换应用中追求效率与可靠性的经典选择。