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ST25DV16K-IER8S3的图片

ST25DV16K-IER8S3

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射频和无线 > RFID,射频接入,监控 IC
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC RFID TRANSP 13.56MHZ 8SO
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,ST25DV16K-IER8S3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ST25DV16K-IER8S3的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ST25DV16K-IER8S3是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能、双接口动态NFC/RFID标签芯片,专为需要无线数据交换和能量采集的物联网应用而设计。该芯片采用先进的CMOS工艺,内部集成了一个非接触式射频前端和一个接触式IC接口,构成了其独特的双接口核心架构。这种设计使得芯片既能作为标准的ISO 15693或NFC Forum Type 5标签,通过13.56MHz射频场与读写器进行无线通信,又能作为一个标准的IC从设备,直接与微控制器等主处理器进行有线连接和数据同步,实现了物理世界与数字世界的无缝桥接。

在功能特性上,该芯片内置16Kbit的EEPROM用户存储器,分为多个可配置的存储区域,支持灵活的读写权限管理和密码保护,确保了数据的安全性。其宽电压供电范围(1.8V至5.5V)和宽广的工作温度范围(-40°C至125°C),使其能够适应从消费电子到工业控制等各种苛刻环境。尤为突出的是其能量采集功能,芯片可以从接收到的射频场中获取能量,并为外部电路提供高达25mA的峰值电流,这为设计无电池或低功耗的传感节点提供了可能。用户可以通过ST授权代理获取完整的技术支持和设计资源。

接口方面,非接触接口完全兼容ISO 15693和NFC Forum Type 5标准,确保了与市面上绝大多数13.56MHz读写设备的互操作性。接触式IC接口支持标准模式(100kHz)和快速模式(400kHz),为系统提供了高速、可靠的数据通道。其表面贴装型8-SOIC封装形式,便于集成到各类紧凑的PCB设计中。这些参数共同塑造了芯片高集成度、高可靠性和设计灵活性的特点。

基于上述特性,ST25DV16K-IER8S3非常适合应用于需要设备配对、参数配置、状态监控或数据日志记录的场景。例如,在智能家居中,可用于家电的无线快速配置;在工业4.0领域,可作为设备资产标签,实现生产流程追踪和设备维护记录;在消费电子中,能为产品提供防伪认证和增强的用户交互体验(如通过手机NFC读取信息)。其能量采集特性进一步拓展了在无线传感器网络、智能包装和可穿戴设备等电池敏感型应用中的潜力。

  • 型号:ST25DV16K-IER8S3
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:射频和无线 > RFID,射频接入,监控 IC
  • 描述:IC RFID TRANSP 13.56MHZ 8SO
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 类型:RFID 应答器
  • 频率:13.56MHz
  • 标准:ISO 15693,NFC
  • 接口:I2C
  • 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取ST25DV16K-IER8S3的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ST25DV16K-IER8S3是意法半导体生产的一款双接口RFID/NFC标签芯片,工作于13.56MHz频段,兼容ISO 15693和NFC Forum标准。它集成了16Kbit EEPROM存储空间,并可通过IC接口与主控MCU直接通信,实现数据在无线射频与有线系统间的双向同步与安全管理。

该器件具备1.8V至5.5V的宽电压供电能力-40°C至125°C的扩展工作温度范围,确保了其在各种环境下的稳定性和可靠性。其核心卖点在于支持从射频场中采集能量为外部电路供电,这为开发无源或低功耗的物联网终端节点提供了关键支持。芯片采用8-SOIC表面贴装封装,便于集成到空间受限的应用设计中。

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