STB40N60M2

STB40N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心在于第二代增强型“多漏极”网状结构，通过精细的单元密度控制和改进的工艺技术，显著降低了单位面积的导通损耗，同时确保了快速开关特性，为高效率功率转换应用奠定了坚实的物理基础。

得益于MDmesh II Plus技术，该MOSFET在600V的漏源电压（Vdss）额定值下，展现出卓越的性能。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）可达34A，而导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、17A电流条件下典型值仅为88毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）最大值控制在57nC @ 10V，结合适中的输入电容，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以进一步提升。此外，器件支持高达±25V的栅源电压，提供了良好的抗干扰能力。

在电气参数方面，STB40N60M2具备宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温），最大功率耗散为250W（Tc），确保了在严苛环境下的可靠运行。其采用表面贴装型的D2PAK封装，该封装具有良好的热性能和功率处理能力，便于在自动化生产线上进行焊接，同时为散热设计提供了便利。对于需要可靠元器件供应的设计团队，可以通过授权的ST代理商获取该产品的技术支持和供应保障。

这款MOSFET主要面向对效率和可靠性有高要求的工业级与消费级功率电子应用。其典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不同断电源（UPS）以及高效照明镇流器等。在这些领域中，其高耐压、低导通电阻和良好的开关性能能够有效提升系统整体能效，减少热量产生，并有助于实现更紧凑的电源设计。

• 型号:STB40N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB40N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）和34A连续漏极电流（Id），专为高要求的功率开关应用而设计。

其技术优势体现在优异的导通特性上，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至88毫欧，同时栅极电荷（Qg）最大值仅为57nC。这种低Rds(on)与低Qg的组合，有效平衡了传导损耗与开关损耗，为实现高效率、高频率的电源转换方案提供了关键支持。器件工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于广泛的工业与消费电子环境。