STB47N60DM6AG

STB47N60DM6AG是ST意法半导体推出的一款面向汽车电子应用的高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MDmesh DM6技术平台构建，专为在严苛的汽车环境下实现高效率、高可靠性的功率开关而设计。其核心架构通过优化单元结构和工艺，在保持高击穿电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），从而有效减少了导通损耗和芯片尺寸，提升了功率密度。

该器件的一个突出特点是其600V的漏源击穿电压（V_DSS），这使其能够从容应对汽车电气系统中常见的负载突降等高压瞬态事件。结合其低栅极电荷（Q_G）和低反向恢复电荷（Q_rr）特性，STB47N60DM6AG在开关过程中表现出色，能够实现更快的开关速度和更低的开关损耗，这对于提升系统整体效率、降低电磁干扰（EMI）至关重要。其设计充分考虑了热管理，采用DPAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的散热能力，确保在高温环境下稳定工作。

在接口与参数方面，该MOSFET的栅极驱动电压范围兼容常见的逻辑电平，便于与微控制器或专用驱动器连接。其导通电阻在标准驱动电压下具有优异的表现，意味着在导通状态下能够承受较大的连续漏极电流（I_D）而仅产生较低的热损耗。这些电气参数经过精心优化，使其在高频开关应用中依然能保持高性能。作为一款汽车级产品，它遵循AEC-Q101标准，经过了严格的可靠性测试，确保了在宽温度范围和高振动环境下的长期稳定性。对于需要可靠货源和技术支持的开发者，可以通过官方授权的ST代理商获取该器件及相关设计资源。

STB47N60DM6AG典型的应用场景包括车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、电机驱动控制器（如EPS、水泵、油泵）以及LED照明驱动等。在这些系统中，它常被用作主功率开关元件，其高耐压、低损耗和高可靠性的特性，有助于设计出更紧凑、更高效、更耐用的汽车电源与电控单元，满足现代汽车电气化与智能化的发展需求。

• 型号:STB47N60DM6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2350 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB47N60DM6AG是ST意法半导体提供的汽车级N沟道功率MOSFET，采用MDmesh DM6技术，具备600V的漏源击穿电压。该器件专为满足汽车电子应用的严苛要求而设计，通过了AEC-Q101认证，确保在恶劣环境下的高可靠性。

其核心优势在于优异的开关性能与低导通损耗的平衡。通过优化设计，实现了较低的栅极电荷和反向恢复电荷，有助于提升系统开关频率并降低整体功耗。采用DPAK（TO-263）表面贴装封装，提供了良好的功率处理能力和散热特性，适用于高功率密度设计。