STD36P4LLF6

STD36P4LLF6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET F6技术平台开发的一款P沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构设计，旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。其核心在于采用了精细的沟槽栅极工艺，有效降低了单元密度，从而在给定的芯片面积内显著减小了导通电阻（R_DS(on)），这对于提升功率转换效率至关重要。得益于这一架构，器件能够在高电流下稳定工作，同时保持良好的热特性。

该MOSFET的突出特性体现在其优异的电气参数上。作为一款40V耐压的P沟道器件，它在25°C壳温条件下可支持高达36A的连续漏极电流。其导通电阻在10V栅源电压和18A漏极电流的测试条件下，最大值仅为20.5毫欧，这一低阻值直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值仅为22nC @ 4.5V，结合适中的输入电容，意味着它需要更少的驱动能量，能够实现快速的开关切换，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。其栅源阈值电压（V_GS(th)）最大值为2.5V，确保了与标准逻辑电平或微控制器GPIO口的良好兼容性，便于直接驱动或通过简单电路驱动。

在接口与封装方面，STD36P4LLF6采用标准的表面贴装DPAK（TO-252）封装，具有良好的功率耗散能力，在壳温条件下最大功率耗散为60W，最高结温可达175°C，这为紧凑型电源设计提供了可靠的散热基础。其栅极电压耐受范围为±20V，为驱动电路提供了充足的安全裕度。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理渠道进行采购与咨询。

凭借高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，STD36P4LLF6非常适用于需要高效率功率管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或高端开关，特别是在笔记本适配器、服务器电源、分布式电源系统等设备中。它也常用于电机驱动电路中的预驱动或控制开关、电池保护电路以及各类负载开关。其P沟道特性使其在作为高端开关时，可以简化驱动逻辑，避免使用额外的电荷泵电路，从而优化系统成本和PCB布局空间。

• 型号:STD36P4LLF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 36A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20.5 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD36P4LLF6是ST意法半导体推出的一款采用STripFET F6技术的P沟道功率MOSFET。该器件在40V的漏源电压（V_DSS）下，具备36A（Tc）的高连续电流处理能力，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS条件下最大值仅为20.5mΩ，能显著降低功率损耗。

此外，其栅极电荷（Q_g）低至22nC，支持快速开关，有助于提升系统效率并简化驱动设计。器件采用DPAK表面贴装封装，最大功率耗散为60W（Tc），工作结温高达175°C，确保了在紧凑空间内的可靠性与散热性能。这些特性使其成为高效率电源转换和电机控制应用的理想选择。