STB50N65DM6

意法半导体推出的STB50N65DM6是一款采用先进MDmesh DM6技术平台的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，通过创新的单元结构和外延层工艺，在650V的高阻断电压下实现了极低的单位面积导通电阻（R_DS(on)）。这种架构的核心优势在于显著降低了传导损耗，同时通过精心设计的栅极和电荷平衡技术，有效控制了开关过程中的动态特性，使其在高频开关应用中表现出优异的效率与可靠性。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源电压（V_DSS）高达650V，为离线式开关电源、功率因数校正（PFC）等应用提供了充足的电压裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值可达33A，展现了强大的电流处理能力。更关键的是，在10V栅极驱动电压、16.5A测试电流下，其导通电阻典型值极低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统能效。此外，其栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss）经过优化，有助于降低栅极驱动损耗并提升开关速度，简化驱动电路设计。

在接口与参数方面，STB50N65DM6采用标准的表面贴装D2PAK封装，具有良好的功率耗散能力，在壳温条件下最大功耗为250W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±25V，提供了稳健的栅极保护。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理获取原装正品及全面的设计资源。

得益于其高电压、低损耗和高可靠性的特点，这款器件非常适合应用于要求高效率和高功率密度的场景。典型应用包括工业级开关电源（SMPS）、服务器和通信设备的电源单元、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电机驱动和照明镇流器中的功率开关部分。其性能平衡使其成为中高功率离线式功率转换系统中功率开关管的优选解决方案。

• 型号:STB50N65DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:91 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2300 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB50N65DM6是ST意法半导体MDmesh DM6系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用表面贴装D2PAK封装。该器件核心优势在于其650V的高漏源击穿电压与33A（Tc）的高连续漏极电流能力，结合其优化的低导通电阻（典型值91mΩ @ 10V, 16.5A），为高功率应用提供了出色的传导性能与能效基础。

其技术参数针对高效开关应用进行了深度优化，较低的栅极电荷（Qg(max) 52.5nC @ 10V）有助于降低开关损耗并提升工作频率，而宽广的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）则确保了其在恶劣环境下的可靠性。这些特性使其成为工业电源、功率因数校正（PFC）、UPS及逆变器等中高功率密度设计的理想功率开关选择。