STB50NE10T4

STB50NE10T4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，旨在实现高功率密度与低导通损耗的平衡。其核心架构优化了单元密度和沟道电阻，使得在紧凑的D2PAK封装内能够处理高达50A的连续漏极电流（Tc=25°C），同时维持出色的热性能。这种设计特别注重降低栅极电荷（Qg）和导通电阻（Rds(on)），从而提升开关效率并减少导通状态下的功率损耗。

该MOSFET的显著特性包括100V的漏源击穿电压（Vdss）和仅27毫欧的低导通电阻（在25A，10V条件下），这使其在高电流应用中能有效降低传导损耗。其栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压即可实现完全导通，同时栅极电压最大可承受±20V，提供了稳健的驱动安全裕度。尽管该产品目前已处于停产状态，但其经过市场验证的可靠性和性能参数，使其在特定存量或延续性设计中仍具参考价值。对于需要此类器件的设计，可通过授权的ST代理咨询库存或替代方案信息。

在电气参数方面，STB50NE10T4的输入电容（Ciss）最大值为6000pF（@25V），栅极总电荷（Qg）最大值为166nC（@10V），这些参数直接影响开关速度与驱动电路的设计复杂度。器件采用表面贴装型D2PAK（TO-263）封装，该封装具有良好的散热能力，结合其高达180W（Tc）的功率耗散能力，能够将结温（TJ）控制在-65°C至175°C的宽泛工作范围内，确保在恶劣环境下的稳定运行。

凭借其高电流处理能力、中压等级和低导通电阻，这款MOSFET传统上适用于要求高效率和高可靠性的功率转换与电机控制领域。典型应用场景包括工业电源中的同步整流、DC-DC转换器中的开关元件、不间断电源（UPS）系统以及电动工具、伺服驱动器中的电机驱动桥臂。其稳健的封装和电气特性也使其能够胜任汽车电子中的某些辅助驱动模块，尽管在全新设计中需综合考虑其停产状态并评估官方推荐的后续替代产品。

• 型号:STB50NE10T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:166 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:180W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB50NE10T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心电气参数包括100V的漏源电压（Vdss）和50A的连续漏极电流（Tc=25°C）处理能力，其关键优势在于极低的导通电阻，典型值仅为27毫欧（@25A, 10V），这能显著降低高电流应用中的导通损耗。

此外，该MOSFET具备优化的开关特性，其最大栅极电荷（Qg）为166nC，配合10V的标准驱动电压，有助于实现高效的开关操作并简化驱动电路设计。器件结温（TJ）工作范围宽达-65°C至175°C，最大功率耗散为180W（Tc），确保了在高温、高功率环境下的可靠性与稳定性。请注意，此型号目前已停产，适用于存量维护或特定延续性设计项目。