STB5N62K3

STB5N62K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺，通过优化的单元结构和沟槽设计，在硅片层面实现了高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构旨在最大限度地降低栅极电荷和内部电容，这对于提升开关效率、减少开关损耗至关重要，尤其适用于高频开关应用环境。

该MOSFET具备620V的高漏源击穿电压（Vdss），为其在离线式电源、功率因数校正（PFC）等高压场合的应用提供了坚实的可靠性保障。在导通特性方面，其在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）均保持在较低水平，这不仅简化了栅极驱动电路的设计，降低了驱动功率需求，也使其能够实现更快的开关速度，有助于提升系统的工作频率和功率密度。

在封装与热性能方面，STB5N62K3采用表面贴装型的D2PAK封装，该封装具有良好的机械强度和较大的散热焊盘，有利于将芯片产生的热量有效地传导至PCB。其结壳热阻相对较低，结合高达70W（Tc）的功率耗散能力，确保了器件在连续工作或脉冲负载下都能维持稳定的热状态。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，满足工业级应用的宽温要求。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在为新设计选型时，建议通过ST授权代理咨询替代产品或库存情况。

综合其电气参数，该器件非常适合应用于需要高效能和高可靠性的中功率开关电源领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明用电子镇流器、工业电机驱动的辅助电源以及不间断电源（UPS）系统等。其高耐压和良好的开关特性使其成为构建紧凑、高效AC-DC或DC-DC功率转换级的理想选择之一。

• 型号:STB5N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 4.2A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 想获取STB5N62K3的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STB5N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心规格包括620V的漏源电压（Vdss）和4.2A的连续漏极电流（Tc），为高压中功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与优异开关性能的结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻表现良好，有助于降低传导损耗。同时，较低的栅极电荷和输入电容特性，使得开关速度快、驱动简单，有利于提升电源系统的整体效率和功率密度。这些特性使其在开关电源、功率因数校正等场合中表现出色。