STF26N65DM2

STF26N65DM2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了出色的开关特性。这种设计使得器件在高压开关应用中能够有效降低传导损耗，提升整体系统效率。

该MOSFET具备650V的漏源击穿电压（Vdss），为应对工业及消费类电源中常见的电压应力提供了充足的裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达20A，展现出强大的电流处理能力。其关键特性在于极低的导通电阻，典型值仅为190毫欧（在10A，10V条件下测得），这直接转化为更低的导通压降和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在35.5nC（@10V），结合1480pF的输入电容（Ciss @100V），有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，并降低对栅极驱动电路的要求，驱动电压范围宽至±25V。

在接口与参数方面，器件采用标准的TO-220FP通孔封装，便于安装和散热，其最大功率耗散为30W（Tc）。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在苛刻环境下的可靠运行。这些参数共同塑造了器件高能效、高可靠性和易于驱动的鲜明特点。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以咨询ST中国代理以获取本地化服务。

基于其性能组合，STF26N65DM2非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关拓扑、工业电机驱动和逆变器中的功率开关、UPS（不间断电源）系统以及照明领域的电子镇流器和LED驱动电源。在这些应用中，其低导通电阻和良好的开关性能有助于提升能效等级，减少散热设计压力，从而优化系统整体成本和可靠性。

• 型号:STF26N65DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF26N65DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格包括650V的漏源电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的动态与静态性能上。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至190毫欧，能显著降低导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，有利于提升开关频率并降低开关损耗。这些特性使其成为追求高效率电源解决方案的理想选择。