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TIP125

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS PNP DARL 60V 5A TO-220
原厂封装:封装:TO-220
优势价格,TIP125的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TIP125的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

TIP125是一款由ST意法半导体(STMicroelectronics)设计制造的PNP达林顿功率晶体管,采用经典的TO-220-3通孔封装。其核心架构基于达林顿对管设计,内部集成了两个PNP型双极结型晶体管(BJT),通过复合连接方式极大地提升了电流放大能力。这种结构使得器件能够以极小的基极驱动电流控制较大的集电极负载电流,同时保持了良好的饱和特性与热稳定性,为设计高增益、高效率的功率开关或线性放大电路提供了坚实的基础。

该器件在功能上表现出显著的优势。其高达1000倍(最小值@3A, 3V)的直流电流增益(hFE)是其最突出的特点之一,这意味着仅需数毫安级的基极电流即可实现对安培级负载电流的可靠控制,极大地简化了前级驱动电路的设计。同时,最大5A的连续集电极电流和60V的集射极击穿电压为其在中等功率应用领域提供了宽裕的工作余量。尽管是达林顿结构,其饱和压降在典型工作条件下(5A集电极电流,20mA基极电流)被控制在4V以内,有助于降低导通状态下的功率损耗。高达150°C的结温(TJ)和2W的最大功耗能力,结合TO-220封装良好的散热特性,确保了其在严苛环境下的长期运行可靠性。

在电气参数与接口方面,TIP125定义了明确的性能边界。除了上述的核心电流电压参数,其集电极截止电流最大值为500A,体现了良好的关断特性。标准的TO-220-3引脚排列(发射极、基极、集电极)兼容广泛的应用板布局与散热器安装。对于需要稳定供货与技术支持的用户,通过官方授权的ST一级代理进行采购是确保产品正宗与供应链安全的重要途径。这些参数共同刻画了一个适用于需要高电流增益、中压中电流开关控制的经典功率器件形象。

基于其技术特性,TIP125非常适合一系列中功率控制场景。它常被用于线性稳压电源的调整管、电机驱动电路中的H桥或低侧开关、继电器或电磁阀的驱动级,以及需要PNP型器件作为高侧开关或射极跟随器的各类工业与汽车电子模块中。其高增益特性使其能够直接由微控制器(MCU)的GPIO口或逻辑芯片驱动,无需复杂的电流放大级,在简化系统设计、降低成本方面具有实用价值,是工程师在应对数十瓦功率等级控制任务时的经典可靠选择。

  • 型号:TIP125
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS PNP DARL 60V 5A TO-220
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:PNP - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):60 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):4V @ 20mA,5A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 3A,3V
  • 功率 - 最大值:2 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220
  • 想获取TIP125的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

TIP125是ST意法半导体推出的一款PNP达林顿功率晶体管,采用TO-220封装。其核心卖点在于极高的电流放大能力,最小直流电流增益(hFE)达1000@3A,3V,允许使用极小的基极电流控制高达5A的负载电流,显著简化驱动电路设计。

器件具备60V的集射极击穿电压和2W的功耗能力,饱和压降典型值较低,确保了在开关应用中的效率与可靠性。高达150°C的结温使其适用于环境要求较高的场合。这款晶体管主要面向需要中功率、高增益PNP开关或放大功能的应用,如电机驱动、电源调整和负载开关等。

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