STW31N65M5

作为ST意法半导体MDmesh V产品系列中的一员，STW31N65M5是一款采用先进超结（Super-Junction）技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于ST专有的MDmesh V技术平台，该平台通过优化的单元结构和垂直沟槽工艺，在单位芯片面积内实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的卓越平衡，这是评估开关电源能效的关键品质因数（FOM）。这种设计使得器件在保持高耐压的同时，显著降低了开关损耗和导通损耗。

该器件具备多项突出的功能特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达650V，为应对工业及消费类电源中的电压尖峰和浪涌提供了充足的裕量，确保了系统的可靠性。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为22A，展现了强大的电流处理能力。其导通电阻在典型工作条件下（11A， 10V）最大仅为148毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗极低，有助于提升整体系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在45nC（@10V），结合±25V的最大栅源电压（Vgs）耐受能力，使得该MOSFET易于驱动，并能实现快速、干净的开关切换，有助于减少电磁干扰（EMI）。

在接口与关键参数方面，STW31N65M5采用经典的TO-247通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大功率耗散（Tc）为150W。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V（@250A），提供了良好的噪声免疫性。输入电容（Ciss）在100V条件下最大为816pF，这些参数共同定义了器件的动态开关行为，使其在硬开关和软开关拓扑中均能表现出色。用户可以通过正规的ST代理商获取该产品的完整技术资料、样品及供货支持。

基于其高性能规格，STW31N65M5非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。它是服务器/电信电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及高效照明（如LED驱动）等系统中功率因数校正（PFC）电路和DC-DC变换器主开关的理想选择。其高耐压和高电流能力使其能够从容应对这些领域中的高压输入和较大功率输出需求，同时其优异的开关特性有助于设计出更紧凑、更高效的电源解决方案。

• 型号:STW31N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 22A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:148 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW31N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V系列。该器件采用TO-247封装，核心规格包括650V的漏源电压（Vdss）和22A（Tc）的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在关键性能参数的优化上。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为148毫欧（@11A），有效降低了导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值被控制在45nC（@10V），这有助于实现快速的开关速度并降低驱动损耗，从而提升系统整体能效。这些特性使其成为要求高效率和高可靠性的开关电源设计的优选器件。