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BZW50-180的图片

BZW50-180

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 180VWM 410VC R6
原厂封装:封装:R-6
优势价格,BZW50-180的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZW50-180的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为ST意法半导体TRANSIL系列BZW50产品线中的一员,BZW50-180是一款采用轴向通孔封装(R6)的单向瞬态电压抑制(TVS)二极管。其核心设计基于成熟的齐纳二极管雪崩击穿原理,旨在为电子线路提供快速、可靠的过压保护。该器件内部集成了高性能的半导体结,能够在纳秒级时间内响应瞬态电压尖峰,并通过将电压钳位在安全水平来吸收巨大的脉冲能量,从而保护下游敏感的集成电路免受损坏。

该器件的关键特性体现在其卓越的浪涌处理能力上。其标称反向关断电压为180V,最小击穿电压为200V,能够在承受高达146A(8/20s波形)的峰值脉冲电流时,将钳位电压有效限制在最大值410V。这一特性使其具备了高达5kW的峰值脉冲功率耗散能力,足以应对工业环境中常见的强浪涌事件。此外,其电容值在1MHz频率下为1500pF,这一参数对于需要考虑信号完整性的高速数据线保护应用是一个重要的权衡因素。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

在电气参数方面,BZW50-180提供了明确的工作边界。其单向特性意味着它专门用于保护极性确定的直流线路。180V的反向关断电压使其适用于工作电压较高的电路环境,而410V的最大钳位电压则为被保护器件设定了一个清晰的安全上限。其轴向引线封装形式(R-6)提供了坚固的物理结构和良好的散热路径,适合通过波峰焊或手工焊接方式安装在PCB上,广泛应用于需要高可靠性的通孔安装方案中。

凭借其通用的设计定位和强大的保护能力,该TVS二极管非常适合用于工业控制系统、电源模块、通信设备以及各类AC-DC转换器的次级侧保护。它能够有效抑制由雷击感应、感性负载切换或静电放电(ESD)引起的瞬态过电压,为电源总线、电机驱动接口及各类信号端口提供一道坚固的防线,是工程师在设计高可靠性电子产品时值得信赖的过压保护解决方案。

  • 型号:BZW50-180
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:R-6
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 180VWM 410VC R6
  • 包装:剪切带(CT)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):180V
  • 电压 - 击穿(最小值):200V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):410V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):146A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW)
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:1500pF @ 1MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:R-6,轴向
  • 供应商器件封装:R-6
  • 想获取BZW50-180的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BZW50-180是ST意法半导体推出的一款单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,属于TRANSIL系列的BZW50产品线。该器件采用轴向通孔封装,核心功能是为电路提供高效的过压保护。

其技术核心在于强大的浪涌吸收能力,具备180V的反向关断电压,并在承受146A(8/20s)的大峰值脉冲电流时,能将电压钳位在最大值410V以内,峰值脉冲功率高达5kW。这些参数使其能够可靠地抑制严重的瞬态电压尖峰,保护后续电路的安全。该器件适用于需要高可靠性过压保护的通用型工业与电子设备应用。

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