STD60NF55LT4

STD60NF55LT4是ST意法半导体基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，旨在优化单元密度与导通电阻之间的平衡，其核心架构通过精细的单元设计有效降低了寄生电容，从而在保持高电流处理能力的同时，实现了更快的开关速度和更低的开关损耗，这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其55V的漏源击穿电压（Vdss）提供了稳健的电压裕量，适用于常见的12V、24V及48V总线系统。在25°C壳温下，连续漏极电流（Id）高达60A，展现出强大的电流承载能力。尤为关键的是其低导通电阻，在10V栅极驱动电压、30A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为15毫欧，这意味着在导通状态下产生的功率损耗极低，有助于减少发热并提升能效。其栅极阈值电压Vgs(th)最大值为2V，配合4.5V至10V的推荐驱动电压范围，使其能够与主流微控制器和驱动IC轻松兼容，实现高效可靠的栅极控制。

在动态性能方面，STD60NF55LT4的栅极总电荷（Qg）在5V Vgs下最大值为56nC，结合1950pF的输入电容（Ciss），表明其所需的驱动能量处于合理水平，有助于简化驱动电路设计并控制开关损耗。器件采用标准的表面贴装DPAK封装，具有良好的功率耗散能力，在壳温条件下最大功耗可达100W，其结温工作范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠性与长期稳定性。对于需要稳定供货与技术支持的项目，通过授权的ST一级代理进行采购是保障供应链顺畅的可靠途径。

凭借其高电流、低导通电阻和稳健的封装特性，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和开关拓扑、电机驱动控制电路、各类电源管理模块以及电池保护系统。它在服务器电源、工业自动化设备、电动工具和汽车辅助系统等领域都能发挥关键作用，是实现高效电能转换和控制的理想选择。

• 型号:STD60NF55LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD60NF55LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心优势在于其高达60A的连续漏极电流处理能力与低至15毫欧（@10V，30A）的导通电阻，这使其在导通期间的功率损耗显著降低，从而提升系统整体能效。

其电气参数设计均衡实用，55V的漏源电压额定值为常见的低压电源系统提供了充足的保护裕度。器件支持宽范围的栅极驱动电压（4.5V至10V），易于驱动，且具备较低的栅极电荷，有助于优化开关性能。结合其宽广的工作结温范围（-55°C至175°C）和100W的功率耗散能力，STD60NF55LT4成为要求高可靠性、高效率的功率开关应用的坚实选择。