STP6N120K3

STP6N120K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心设计旨在有效管理高电场，确保在1200V的漏源电压下具备可靠的阻断能力，同时通过降低栅极电荷和电容来优化开关性能，这对于高频开关应用至关重要。

该MOSFET的显著特性体现在其高压大电流的处理能力上。1200V的漏源电压（Vdss）额定值使其能够从容应对工业级AC-DC转换、电机驱动等场合中常见的电压应力。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）可达6A，配合最大150W的功率耗散能力，赋予了器件可观的功率处理密度。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、2.5A漏极电流条件下典型值仅为2.4欧姆，这直接关系到导通期间的功率损耗，较低的Rds(on)有助于提升系统整体效率。此外，最大34nC的栅极总电荷（Qg）和1050pF的输入电容（Ciss）参数，表明其具有较快的开关速度，能够减少开关损耗，尤其适用于需要高频率操作的开关电源拓扑。

在接口与参数方面，该器件采用标准的TO-220通孔封装，便于安装和散热管理。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，而栅源电压（Vgs）最大可承受±30V，提供了较强的抗干扰能力。阈值电压Vgs(th)最大为5V，确保了良好的噪声免疫性。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的环境要求。对于需要可靠元器件供应的设计项目，可以通过授权的ST代理商获取详细的技术资料与库存信息。

得益于其高压、低栅荷及稳健的封装特性，STP6N120K3非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）级和主开关、工业电机驱动与变频器、UPS（不间断电源）系统以及照明镇流器等领域。在这些应用中，它能够作为关键开关元件，有效提升电源的功率密度和转换效率。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备维护或特定设计延续中，它仍是一个经过验证的高性能选择。

• 型号:STP6N120K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 6A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1050 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP6N120K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件核心优势在于其1200V的高漏源击穿电压（Vdss）和6A的连续漏极电流（Id）能力，专为处理高压大功率应用而设计。

其技术亮点包括在10V驱动下仅2.4欧姆的最大导通电阻，有助于降低导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关特性，有利于提升开关电源等应用的工作频率和效率。器件采用TO-220通孔封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，具备良好的散热性和环境适应性。