STB5NK50Z-1

STB5NK50Z-1是ST意法半导体基于其成熟的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟道结构，通过优化单元密度和沟道设计，在高压条件下实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。其核心架构旨在降低开关损耗和传导损耗，这对于提升开关电源等应用的效率至关重要。该芯片采用通孔安装的I2PAK（TO-262）封装，具有良好的机械强度和散热性能，便于在功率电路板上进行可靠的装配。

在电气特性方面，该器件具备500V的漏源击穿电压（Vdss），能够承受较高的关断电压应力，为离线式开关电源（SMPS）的初级侧应用提供了充足的电压裕量。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压和2.2A漏极电流条件下典型值为1.5欧姆，较低的导通电阻直接减少了功率传输过程中的传导损耗。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为28nC，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于简化驱动电路设计并提升系统在高频工作下的效率。

该MOSFET的连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下额定为4.4A，最大功耗为70W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在宽温环境下的稳定运行能力。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，而栅源电压（Vgs）可承受±30V的极限值，这提供了较强的抗干扰能力和驱动灵活性。输入电容（Ciss）为535pF，这些参数的组合定义了器件的动态开关特性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过正规的ST授权代理获取该产品的技术支持和库存信息。

凭借其高压、低损耗的特性组合，STB5NK50Z-1非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧功率开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及电机驱动中的辅助电源部分。其设计平衡了性能与成本，是工业级和消费类电子中高压功率开关电路的经典选择之一。

• 型号:STB5NK50Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 4.4A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STB5NK50Z-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用I2PAK（TO-262）通孔封装，核心电气参数包括500V的漏源电压（Vdss）和4.4A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的开关性能上，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）仅为1.5欧姆（@2.2A），同时栅极电荷（Qg）低至28nC。这种低导通电阻与低栅极电荷的组合，能有效降低传导损耗和开关损耗，提升系统整体效率。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，适用于对可靠性要求较高的工业与消费类电源解决方案。