STB60N55F3

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STB60N55F3是一款采用先进STripFET III技术平台的N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的单元结构和沟槽栅工艺，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on) * Qg），这一关键品质因数（FOM）的显著优化，直接转化为在高频开关应用中更低的传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。

其核心电气特性表现出色，在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至8.5毫欧（@32A），确保了在大电流路径上（连续漏极电流Id可达80A @ Tc）的压降和热损耗被控制在极低水平。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为45nC（@10V），结合±20V的宽栅源电压（Vgs）耐受范围，意味着该器件易于驱动，能够实现快速、干净的开关切换，并兼容多种驱动电路设计，有助于简化系统电源管理方案。

在封装与可靠性方面，STB60N55F3采用经典的表面贴装D2PAK（TO-263）封装，具有良好的功率处理能力和散热特性，其结壳热阻（RthJC）较低，允许在高达175°C的结温（TJ）下工作，最大功率耗散为110W（Tc）。其漏源击穿电压（Vdss）为55V，为设计提供了充足的电压裕量，增强了系统在瞬态电压下的鲁棒性。对于需要可靠供应链支持的批量项目，可以通过授权的ST一级代理获取原厂技术支持与供货保障。

凭借其高电流处理能力、低导通损耗和快速开关特性，这款MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场合。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器中的同步整流和初级侧开关、大电流电机驱动控制器、工业电源以及各类需要高效功率切换的汽车电子子系统（如泵驱动、LED照明驱动等），是工程师构建高效、紧凑型功率解决方案的优选器件之一。

• 型号:STB60N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 32A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB60N55F3是意法半导体基于STripFET III技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件在55V漏源电压（Vdss）下，能够提供高达80A（Tc）的连续漏极电流，而其关键优势在于极低的导通电阻（Rds(on)典型值8.5mΩ @ 10V, 32A）与栅极电荷（Qg最大值45nC @ 10V）的组合，这使其在高频开关应用中能同时实现优异的传导效率和快速的开关速度。

器件采用D2PAK表面贴装封装，具备110W（Tc）的功率耗散能力和-55°C至175°C的宽工作结温范围，确保了在严苛环境下的可靠性与散热性能。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和高密度DC-DC转换器等中高功率应用的理想选择。