STB60NH02LT4

STB60NH02LT4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）之间的出色平衡，这一核心架构使其在开关性能和传导损耗方面表现优异。其设计旨在为低压、大电流的开关应用提供高效、可靠的解决方案，尤其适用于对功率密度和热管理有较高要求的场合。

该MOSFET的显著特性在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、30A漏极电流条件下，其最大值仅为10.5毫欧，这直接转化为更低的通态损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Q_G）最大值仅为32nC（@10V），结合适中的输入电容（C_iss），意味着在开关过程中所需的驱动能量更少，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。器件支持宽范围的栅极驱动电压，标准逻辑电平（5V）即可实现良好的导通，而最大栅源电压（V_GS）可达±20V，提供了充足的噪声裕量和设计灵活性。

在电气参数方面，STB60NH02LT4的额定漏源电压（V_DSS）为24V，在壳温（T_C）条件下连续漏极电流（I_D）可达60A，最大功耗为70W。其阈值电压（V_GS(th)）典型值较低，确保了在低压驱动下的快速响应。器件采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，该封装具有良好的热性能和较高的功率处理能力，便于在PCB上实现紧凑的布局。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要获取官方技术支持和样品供应的设计人员，可以通过授权的ST代理进行咨询和采购。

凭借其高性能参数，这款MOSFET非常适合应用于需要高效率和高电流处理能力的领域。典型应用包括低压DC-DC转换器（如同步整流、负载点转换器）、电机驱动与控制（如电动工具、小型风扇）、电源管理（如服务器电源、通信设备中的二次侧整流和开关电路）以及电池保护与负载开关等。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有系统设计、备件供应或对特定批次有要求的项目中，它仍然是一个经过市场验证的可靠选择。

• 型号:STB60NH02LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB60NH02LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心优势在于其优异的开关与传导特性平衡，旨在为24V电压等级的应用提供高效的功率开关解决方案。

其技术亮点包括极低的导通电阻（10.5mΩ @ 30A, 10V）和较低的栅极电荷（32nC @ 10V），这共同确保了在高达60A（T_C）的连续电流下，仍能实现较低的功率损耗和较高的开关频率潜力。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）与70W（T_C）的功率耗散能力，使其能够适应要求严苛的工业环境。