TIP49

TIP49是ST意法半导体推出的一款高压NPN双极性晶体管（BJT），采用经典的TO-220-3通孔封装。其核心架构基于成熟的硅平面工艺，内部为单NPN结构，设计重点在于实现高耐压与中等电流驱动能力的平衡。该器件在关断状态下能够承受高达350V的集电极-发射极电压，同时集电极连续电流可达1A，这使其在需要处理较高电压的线性或开关电路中成为可靠的选择。

该晶体管的功能特点突出其稳健性。高达350V的V_CEO击穿电压使其非常适合用于市电整流后（约300V-320V）的离线式电源、电子镇流器或电机驱动电路中的初级侧开关或驱动级。在1A电流下，其V_CE(sat)饱和压降典型值较低，有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体效率。其直流电流增益（h_FE）在300mA、10V条件下最小值为30，提供了良好的电流放大能力，便于驱动。此外，最高结温（T_J）为150°C，结合TO-220封装良好的散热特性，确保了器件在2W最大功耗下工作的热稳定性。

在接口与关键参数方面，TIP49为标准的三引脚（基极、集电极、发射极）TO-220器件，便于安装和散热处理。其集电极截止电流最大为1mA，表明了良好的关断特性。过渡频率为10MHz，虽然不属于高频射频晶体管范畴，但足以满足大多数中低速开关应用和音频放大等线性应用的需求。对于需要可靠、高性价比高压开关解决方案的设计，ST芯片代理处通常可获取相关的技术资料与库存信息。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在进行新设计选型时需评估替代方案或现有库存的可用性。

基于其参数特性，TIP49的传统应用场景主要集中在工业控制与消费电子领域。它常被用于开关电源（SMPS）的初级侧开关、电子镇流器的半桥或全桥电路、交流电机控制器的驱动级，以及音频功率放大器的输出级。在这些场景中，其高耐压、足够的电流处理能力以及封装带来的散热便利性得到了充分发挥。尽管面临新型MOSFET的竞争，但在一些对成本敏感、驱动电路简单或需要一定抗浪涌能力的现有设计和维修市场中，此类晶体管仍保有其一席之地。

• 型号:TIP49
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 350V 1A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:350 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1V @ 200mA，1A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:30 @ 300mA，10V
• 功率 - 最大值:2 W
• 频率 - 跃迁:10MHz
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
• 想获取TIP49的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

TIP49是ST意法半导体生产的一款高压NPN双极性晶体管，采用TO-220-3通孔封装。其核心卖点在于高达350V的集电极-发射极击穿电压与1A的连续集电极电流能力，这使其能够稳健地应用于离线式电源等高压场合。

该器件在300mA、10V条件下最小直流电流增益为30，便于驱动。其饱和压降较低，有助于提升效率，最大功耗为2W，最高结温可达150°C，确保了良好的热性能。10MHz的过渡频率满足中低速开关及线性放大应用需求。