STB6NK90ZT4

STB6NK90ZT4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心在于通过精细的单元几何结构和创新的沟槽工艺，有效降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时确保了在高达900V的漏源电压（Vdss）下具备可靠的阻断能力。这种架构使得器件在高压开关应用中能够显著降低传导损耗，提升整体能效。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其导通电阻在10V驱动电压、2.9A电流条件下典型值仅为2欧姆，这直接转化为更低的通态压降和发热量。栅极电荷（Qg）最大值控制在60.5nC，结合1350pF的输入电容（Ciss），意味着器件具有较快的开关速度，有助于减少开关过程中的损耗，适用于高频开关场景。其栅源电压（Vgs）耐受范围宽达±30V，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。此外，器件在25°C壳温下可承受5.8A的连续漏极电流，最大功率耗散为140W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，展现了宽泛的工作温度适应性和鲁棒性。

在封装与接口方面，STB6NK90ZT4采用标准的表面贴装D2PAK封装。这种封装形式具有良好的机械强度和散热性能，其金属片可直接焊接在PCB的铜箔上，为功率耗散提供了有效的热路径，简化了散热设计。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，通过授权的ST一级代理进行采购是确保产品正宗性和获取完整技术资料的有效途径。其关键参数如阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，确保了在标准逻辑电平驱动下的易用性。

凭借900V的高压耐受能力和优化的开关特性，这款器件非常适合应用于要求严苛的功率转换领域。典型应用场景包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明用电子镇流器以及工业电机驱动中的辅助电源部分。在这些应用中，它能够有效提升系统效率、功率密度和可靠性，是工程师设计高效、紧凑型高压电源解决方案时的优选功率开关器件之一。

• 型号:STB6NK90ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB6NK90ZT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心优势在于其900V的高漏源电压（Vdss）额定值与低至2欧姆的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这使其在高压环境下能有效降低传导损耗。

器件在25°C壳温下可提供5.8A的连续漏极电流，最大功率耗散达140W。其开关性能经过优化，栅极电荷（Qg）最大值仅为60.5nC，有助于实现高效的快速开关操作。该MOSFET采用表面贴装型D2PAK封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各类严苛应用环境下的稳定性和可靠性。