STB70N10F4

STB70N10F4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET和DeepGATE技术平台构建。该器件采用表面贴装型D2PAK封装，专为高功率密度和高效能应用而设计。其核心架构通过优化的单元结构和沟槽栅极技术，在给定的芯片面积内实现了极低的导通电阻，从而显著降低了传导损耗，提升了整体能效。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其漏源电压（Vdss）额定值为100V，能够为多种中压应用提供可靠的电压裕量。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）高达65A，展现出强大的电流处理能力。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、30A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为19.5毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在85nC @ 10V，有助于降低开关损耗，简化栅极驱动电路的设计。

在电气参数方面，该器件栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了稳健的栅极保护。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V @ 250A，确保了良好的噪声免疫能力。功率耗散能力在壳温条件下最大为150W，结合其宽广的工作结温范围（-55°C至175°C），使其能够适应严苛的热环境。对于需要可靠元器件供应的设计者，可以通过授权的ST代理商获取详细的技术支持和库存信息。

基于其高性能参数，STB70N10F4非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换场景。典型应用包括工业电源中的同步整流、DC-DC转换器中的开关元件、电机驱动与控制系统，以及不间断电源（UPS）和逆变器中的功率开关。其D2PAK封装具有良好的散热性能，适合需要处理较大功率的表面贴装设计。

• 型号:STB70N10F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB70N10F4是ST意法半导体基于STripFET技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用D2PAK表面贴装封装。该器件核心卖点在于其优异的导通性能，在100V漏源电压和10V栅极驱动下，能提供高达65A的连续电流处理能力，同时保持极低的导通电阻（最大值19.5mΩ @ 30A, 10V），有效降低了功率损耗。

其设计兼顾了开关效率与稳健性，栅极电荷（Qg）最大值仅为85nC，有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗。器件支持-55°C至175°C的宽工作结温范围，最大功率耗散为150W，确保了在工业级应用中的高可靠性和热稳定性，适用于电源转换和电机控制等对能效要求严苛的领域。