STB75N20

作为ST意法半导体STripFET系列的一员，STB75N20是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件。其核心架构基于先进的平面工艺，通过优化的单元设计和制造流程，在D2PAK封装内实现了优异的功率密度与电气性能平衡。该器件专为高效开关应用而设计，其结构确保了在高压、大电流工况下仍能保持稳定的工作特性。

该MOSFET的显著特性在于其200V的漏源击穿电压（Vdss）与高达75A的连续漏极电流（Id）承载能力，这使其能够应对严苛的功率处理需求。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、37A漏极电流条件下典型值仅为34毫欧，这一低导通阻抗直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，栅极电荷（Qg）典型值为84nC，结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，器件采用标准的表面贴装D2PAK封装，具有良好的散热性能和机械强度。其栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±20V的Vgs，而确保完全导通的标准驱动电压为10V。阈值电压Vgs(th)最大值为4V，提供了足够的噪声容限。器件的热性能同样出色，在管壳温度（Tc）下最大功率耗散可达190W，结温工作范围覆盖-50°C至150°C，确保了在高温环境下的可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取相关技术资料与库存信息。

基于其高耐压、大电流和低损耗的特点，STB75N20非常适合应用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用场景包括工业电源中的PFC（功率因数校正）电路、电机驱动控制器、高频开关电源的初级侧开关、以及不间断电源（UPS）和电焊机等设备的功率级。其稳健的设计使其成为中高功率离线式变换器和电机驱动方案中功率开关元件的优选之一。

• 型号:STB75N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 37A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB75N20是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心电气参数包括200V的漏源电压（Vdss）和75A的连续漏极电流（Id）处理能力，专为高功率密度和高效率应用而优化。

其关键优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、37A Id条件下典型值仅为34mΩ，这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，84nC的典型栅极电荷（Qg）有助于实现快速开关，提升系统整体频率响应并降低开关损耗。这些特性使其成为工业电源、电机驱动及各类开关电源设计中功率开关部分的可靠选择。