STB7N52K3

STB7N52K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和第三代超级结技术，在单芯片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心设计旨在有效控制电场分布，从而在525V的高漏源电压（Vdss）额定值下，将导通损耗降至最低，这使其在高压开关应用中能显著提升能效和功率密度。

该MOSFET的关键电气特性使其在高压环境中表现卓越。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、3.1A电流条件下典型值仅为980毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在34nC（@10V），结合737pF的输入电容（Ciss），意味着开关过程中所需的驱动能量较低，有助于简化驱动电路设计并提升高频开关性能。器件支持高达±30V的栅源电压，提供了较强的抗干扰能力，而150°C的最大结温（TJ）和90W（Tc）的功率耗散能力则确保了其在严苛环境下的工作可靠性。

在封装与接口方面，STB7N52K3采用工业标准的表面贴装型D2PAK封装。这种封装形式具有良好的机械强度和散热性能，便于在自动化生产线上进行贴装，并能通过PCB铜箔实现有效的热量传导。其额定连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下为6A，为设计提供了清晰的电流处理能力参考。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关的技术资料与库存信息。

凭借525V的耐压和优化的开关特性，这款器件非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、高压DC-DC转换器以及工业电机驱动和照明镇流器等场景。在这些应用中，它能够有效处理高压总线，实现高效的电能转换与控制，尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计的维护与特定批量化项目中，它依然是一个经过市场验证的高性能选择。

• 型号:STB7N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 6A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:980 毫欧 @ 3.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:737 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB7N52K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心额定参数为525V漏源电压（Vdss）和6A连续漏极电流（Id），专为高压功率开关应用而设计。

其技术亮点在于通过第三代SuperMESH3技术实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合。在10V栅极驱动下，其导通电阻典型值仅为980毫欧，有助于降低传导损耗；同时，34nC的最大栅极电荷确保了快速的开关切换能力，有利于提升系统效率与频率。这些特性使其成为开关电源初级侧、PFC及工业电源系统中要求高效率与高可靠性的关键功率开关元件的理想选择。