STB7NK80Z-1

STB7NK80Z-1是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用I2PAK通孔封装，其核心架构旨在实现高压开关应用中的高效率与高可靠性。通过优化的单元设计和工艺，它在800V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡，这是评估高压MOSFET开关损耗的关键品质因数（FOM）。

该器件的功能特点突出体现在其高压处理能力和开关性能上。800V的额定电压使其能够从容应对工业电源、照明等应用中常见的电压应力和尖峰，提供充裕的设计余量。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）可达5.2A，最大功率耗散为125W，展现了强大的电流处理与散热能力。其导通电阻最大值仅为1.8欧姆（在2.6A，10V条件下），配合最大56nC的栅极电荷（在10V条件下），共同确保了较低的导通损耗和快速的开关切换，有助于提升整体系统效率。

在电气接口与参数方面，STB7NK80Z-1具备典型的增强型MOSFET特性。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V（在100A条件下），而驱动电压（Vgs）推荐值为10V以达到最小导通电阻，最大允许的栅源电压为±30V，这为栅极驱动电路的设计提供了灵活性和保护。输入电容（Ciss）最大值为1138pF（在25V条件下），是影响开关速度的另一重要参数。其宽泛的工作结温（TJ）范围从-55°C到150°C，确保了器件在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的详细信息与供货服务。

基于上述技术特性，STB7NK80Z-1非常适用于需要高效高压开关的各类应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中功率因数校正（PFC）电路和主转换器拓扑（如反激式、半桥式）的理想选择。此外，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）、电子镇流器以及LED照明驱动等对能效和可靠性要求较高的领域，该器件也能发挥其高压、低损耗的优势，帮助设计工程师构建更紧凑、更高效的电源解决方案。

• 型号:STB7NK80Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1138 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STB7NK80Z-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用I2PAK封装，核心额定参数为800V漏源电压（Vdss）与5.2A连续漏极电流（Id），专为高压、高可靠性应用而设计。

其技术优势在于优异的开关特性平衡：1.8欧姆的低导通电阻（最大值，@2.6A, 10V）有效降低了导通损耗，而最大56nC的低栅极电荷（@10V）则有助于实现快速开关并降低驱动损耗。结合125W（Tc）的功率耗散能力与-55°C至150°C的宽工作结温范围，该器件为提升系统效率与鲁棒性提供了坚实基础。