STB85NS04Z

STB85NS04Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其SAFeFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面MOSFET工艺，在D2PAK（TO-263）封装内集成了一个高性能的功率开关。其核心设计旨在实现极低的导通损耗与出色的开关性能，通过优化的单元结构和沟道设计，在保证高电流处理能力的同时，有效控制了寄生电容参数。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值极低，在30A电流条件下最大值仅为15毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）最大值控制在100nC @ 10V，结合2500pF @ 25V的输入电容（Ciss），意味着器件具备快速的开关特性，有助于降低开关损耗并允许更高频率的开关操作。高达±18V的栅源电压（Vgs）容限提供了更强的栅极驱动鲁棒性。对于需要可靠元器件供应的设计，可以通过授权的ST代理商获取相关技术支持和库存信息。

在电气参数方面，STB85NS04Z的额定漏源电压（Vdss）为33V，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达80A，最大功率耗散为215W（Tc）。其宽广的工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。表面贴装的D2PAK封装具有良好的散热性能和机械强度，便于自动化生产焊接。

凭借其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，这款器件非常适合应用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池保护开关以及各类电源管理系统中的负载开关。其性能平衡了效率、功率密度和成本，是中等电压、大电流功率路径设计的优选解决方案之一。

• 型号:STB85NS04Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:33 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:215W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB85NS04Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于SAFeFET产品系列，采用D2PAK表面贴装封装。该器件核心优势在于其高电流处理能力与低导通损耗，其连续漏极电流（Id）在壳温条件下高达80A，而在10V驱动、30A电流时导通电阻（Rds(on)）最大值仅为15毫欧，能显著提升功率转换效率。

此外，其开关性能经过优化，栅极电荷（Qg）最大值为100nC @ 10V，有助于实现快速开关并降低相关损耗。33V的漏源电压（Vdss）和215W（Tc）的功率耗散能力，结合-55°C至175°C的宽工作结温范围，使其能够稳定应对各种 demanding 的功率管理应用环境。