STW28N60DM2

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STW28N60DM2是一款采用先进MDmesh DM2技术平台的N沟道功率MOSFET。该器件构建于优化的垂直结构之上，通过精心设计的单元布局和工艺改进，在击穿电压、导通电阻和开关性能之间实现了卓越的平衡。其核心优势在于显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时有效控制了寄生电容，这直接转化为更低的传导损耗和开关损耗，为高效率功率转换奠定了物理基础。

在功能特性上，STW28N60DM2具备600V的漏源击穿电压（V_DSS）和21A的连续漏极电流（I_D）能力，使其能够从容应对工业级应用中的高压大电流场景。其导通电阻在10V驱动电压、10.5A测试条件下典型值仅为160毫欧，这一低R_DS(on)特性是提升系统整体能效的关键。此外，器件拥有优化的栅极电荷（Q_g）特性，最大值仅为34nC（@10V），配合±25V的最大栅源电压（V_GS）容限，意味着它能够被快速驱动且具有稳健的栅极可靠性，有助于简化驱动电路设计并提高开关频率。

该MOSFET采用坚固的TO-247通孔封装，最大功耗可达170W（T_C=25°C），确保了良好的热耗散能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，适应严苛的环境要求。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的设计项目，通过授权的ST一级代理进行采购是保障产品正品与供货稳定的重要途径。这些接口与参数特性使其成为对效率和可靠性有高要求设计的理想选择。

基于其高性能指标，STW28N60DM2非常适用于开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器、不同断电源（UPS）以及电焊机等高性能功率电子设备。在这些应用中，它能够有效提升功率密度，降低系统热设计难度，最终实现更紧凑、更高效的终端产品设计。

• 型号:STW28N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW28N60DM2是ST意法半导体MDmesh DM2系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件核心卖点在于其600V/21A的额定值，结合低至160毫欧（典型值）的导通电阻，为高压大电流应用提供了优异的传导性能。

其技术优势还包括优化的开关特性，如最大34nC的栅极电荷和1500pF的输入电容，这有助于降低开关损耗并允许更高频率的操作。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和170W的功率耗散能力，确保了其在工业电源、电机驱动等 demanding 应用环境中的可靠性与鲁棒性。