2N5657

2N5657是ST意法半导体推出的一款高压NPN双极性晶体管（BJT），采用经典的TO-225AA（TO-126-3）通孔封装，为工程师在高压、中功率应用场景中提供了一个可靠的单管解决方案。其核心架构基于成熟的平面工艺，实现了350V的高集电极-发射极击穿电压与500mA连续集电极电流能力的平衡。该器件内部结构经过优化，确保了在高压工作条件下仍能维持稳定的电流放大特性，其结温最高可承受150°C，为设计提供了宽裕的热安全边际。

在功能特性上，该晶体管展现出针对高压开关与线性放大应用的针对性设计。10MHz的跃迁频率使其能够胜任中频范围内的信号处理与开关动作。其直流电流增益（hFE）在典型工作点（100mA， 10V）下最小值为30，提供了足够的电流驱动能力。值得注意的是，其集电极截止电流被控制在100A级别，这有助于降低器件的静态功耗，提升系统效率。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过正规的ST授权代理渠道获取该型号的原装产品与技术资料。

从接口与电气参数来看，2N5657定义了明确的工作边界。其最大集电极-发射极饱和压降在100mA基极电流、500mA集电极电流条件下为10V，这一参数对于评估其在饱和区的导通损耗至关重要。器件最大功耗为20W，结合通孔封装良好的散热特性，使其能够处理可观的功率。这些参数共同描绘出一个适用于严苛电气环境的稳健型晶体管画像。

基于其高压、中电流和良好的功率处理能力，该晶体管典型应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧启动电路、电子镇流器、CRT显示器行输出电路以及工业控制设备中的高压侧驱动。尽管其零件状态已标注为停产，意味着ST已不再进行主流生产推广，但在许多现有设备维护、备件更换或特定遗留系统的设计中，它仍然是一个被广泛认知和使用的经典型号，体现了其在特定历史时期的技术价值与设计可靠性。

• 型号:2N5657
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-32-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 350V 0.5A SOT-32-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:500 mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:350 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:10V @ 100mA，500mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:30 @ 100mA，10V
• 功率 - 最大值:20 W
• 频率 - 跃迁:10MHz
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3
• 供应商器件封装:SOT-32-3
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2N5657是STMicroelectronics生产的一款高压NPN双极性晶体管。该器件核心特性在于其350V的高集射极击穿电压与500mA的集电极电流容量，使其能够胜任高压环境下的开关与放大任务。

其最大功耗为20W，采用TO-225AA通孔封装以利于散热，最高结温可达150°C，确保了在功率应用中的热可靠性。此外，10MHz的跃迁频率和最小30的直流电流增益（@100mA， 10V），为其在中频范围内的性能表现提供了基础保障。