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STBR3012G2-TR的图片

STBR3012G2-TR

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE STD 1200V 30A D2PAK HV
原厂封装:封装:D2PAK HV
优势价格,STBR3012G2-TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STBR3012G2-TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STBR3012G2-TR是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能单相桥式整流器,采用先进的硅半导体工艺制造。该器件将四个整流二极管集成在一个紧凑的封装内,构成了一个完整的全波整流桥,其核心设计旨在实现高效率、高可靠性的交流到直流电源转换。得益于其坚固的架构,该整流桥能够在高电压和大电流条件下稳定工作,为后续的电源管理电路提供平滑的直流输入。

该器件的一个突出特性是其高达1200V的直流反向电压(Vr),这使其能够承受严苛的工业级电压应力,并具备良好的电压裕量,增强了系统在电网波动或瞬态过压情况下的鲁棒性。同时,30A的平均整流电流(Io)能力确保了其能够为中等至高功率应用提供充足的电流输送。在正向导通特性上,其在30A电流下的典型正向压降(Vf)仅为1.3V,这有助于降低导通损耗,提升整体电源转换效率,减少热耗散。

在电气性能方面,STBR3012G2-TR采用了标准恢复速度技术,适用于大多数工频(50/60Hz)及中频开关电源的整流需求。其反向漏电流在1200V反向电压下典型值低至2A,体现了优异的阻断特性,有助于降低待机功耗。该器件采用表面贴装型封装,具体为TO-263-3(DPak),这种封装具有出色的散热性能,其金属裸露焊盘(接片)可直接焊接在PCB的铜箔上,利用电路板作为散热器,有效管理由大电流和功耗产生的热量。产品属于ECOPACK2系列,符合RoHS等环保标准。如需获取官方技术支持和原装产品,可通过ST授权代理进行采购。

凭借其高电压、大电流和低损耗的特性,STBR3012G2-TR非常适用于要求苛刻的电源领域。其典型应用场景包括工业电机驱动器的辅助电源、电焊机、不同断电源(UPS)、大功率AC-DC适配器和充电桩的初级整流环节。其坚固的DPak封装也使其能够适应工业环境中可能存在的振动和温度变化,是设计紧凑、高效且可靠电源解决方案的关键元器件。

  • 型号:STBR3012G2-TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:D2PAK HV
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE STD 1200V 30A D2PAK HV
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):30A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 30 A
  • 速度:标准恢复 \>500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 A @ 1200 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK HV
  • 工作温度 - 结:175°C(最大)
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STBR3012G2-TR是STMicroelectronics生产的一款表面贴装单相桥式整流器。该器件集成了一个完整的整流桥,核心优势在于其1200V的高反向耐压30A的大平均整流电流能力,能够承受严苛的工业电压环境并输送可观的功率。

其电气参数表现出色,在30A额定电流下的正向压降典型值仅为1.3V,有助于实现高效率的电能转换。同时,极低的反向漏电流(2A @ 1200V)确保了优异的关断特性。器件采用散热性能卓越的DPak(TO-263-3)封装,便于热管理,适用于高功率密度设计。

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