STF16NF25

STF16NF25是ST意法半导体基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面工艺和单元设计，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。其核心架构旨在优化功率转换效率，通过降低导通损耗和开关损耗来提升整体系统性能，特别适用于需要高效能量管理的应用环境。

该MOSFET具备250V的漏源击穿电压(Vdss)和14A的连续漏极电流(Id)能力，为中等功率应用提供了可靠的电压与电流裕量。其导通电阻(Rds(on))在10V驱动电压、6.5A电流条件下典型值仅为235毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生。同时，最大18nC的栅极电荷(Qg)和680pF的输入电容(Ciss)共同确保了快速的开关切换能力，有助于减少开关过程中的能量损失，并允许使用更小、更经济的驱动电路。

在接口与参数方面，器件采用标准的TO-220FP封装，提供通孔安装方式，便于散热器安装以实现25W的最大功率耗散。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大可承受±20V的栅源电压，增强了设计的鲁棒性。阈值电压Vgs(th)最大为4V，提供了良好的噪声抑制能力。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛工业环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取正品元件和技术支持。

凭借其性能组合，STF16NF25非常适合一系列要求高效、可靠的功率开关与转换场景。典型应用包括开关模式电源(SMPS)的初级侧开关、功率因数校正(PFC)电路、电机驱动与控制（如风扇、泵类）、DC-DC转换器以及不间断电源(UPS)和逆变器系统。在这些应用中，它能够有效提升能效，减少系统体积与热管理需求，是实现高性价比、高可靠性电源解决方案的关键元件之一。

• 型号:STF16NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 14A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:235 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF16NF25是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件设计用于提供高效的功率开关解决方案，其核心参数包括250V的漏源电压和14A的连续漏极电流，为中等功率应用奠定了坚实基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。低至235毫欧的导通电阻（@10V， 6.5A）最大限度地降低了传导损耗，而18nC的栅极电荷和680pF的输入电容则确保了快速的开关响应，从而有效控制开关损耗。这些特性使其在要求高效率和可靠性的功率转换系统中表现出色。

器件采用TO-220FP封装，支持通孔安装并便于散热管理，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各种环境条件下的稳定性和长寿命运行。