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STBV42D

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 400V 1A TO-92-3
原厂封装:封装:TO-92-3
优势价格,STBV42D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STBV42D的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STBV42D是ST意法半导体推出的一款高压NPN双极性晶体管(BJT),采用经典的TO-92通孔封装。其核心架构基于成熟的硅平面工艺,设计用于在高达400V的集电极-发射极电压下稳定工作,为高压开关和线性放大应用提供了一个可靠的单管解决方案。该器件内部结构优化了载流子传输路径,旨在平衡高压承受能力与适中的电流增益,确保在指定工作区间内具有良好的电气特性。

在功能特性方面,该晶体管具备1A的连续集电极电流处理能力,能够驱动中小功率负载。其高达400V的VCEO击穿电压使其在离线式开关电源、电子镇流器、CRT显示器行输出等存在高压反峰的应用中表现出色,提供了充足的电压裕量。在饱和状态下,当集电极电流为750mA、基极驱动电流为250mA时,其集电极-发射极饱和压降典型值仅为1.5V,这有助于降低导通损耗,提升整体能效。虽然其直流电流增益(hFE)在400mA和5V条件下最小值为10,表明它是一款需要足够基极电流驱动的器件,但这同时也赋予了其良好的工作稳定性和抗饱和特性。

该器件的接口形式为标准的三引脚TO-92封装,引脚排列兼容业界通用规范,便于在电路板上进行通孔安装和替换。其关键参数还包括1W的最大功耗和高达150°C的结温(TJ工作能力,这为设计散热方案提供了灵活性,允许器件在一定的环境温度下可靠运行。集电极截止电流最大为1mA,这一参数对于关断状态下的功耗控制至关重要。用户可以通过正规的ST代理商获取该产品的详细技术资料、库存信息以及应用支持。

鉴于其高压、中电流的特性,STBV42D非常适合应用于需要高压开关或放大的场景。典型应用包括小功率离线式AC-DC电源的启动电路、功率因数校正(PFC)电路中的预调整开关、荧光灯和LED驱动器的电子镇流器,以及各种工业控制设备中的继电器或电磁阀驱动电路。尽管其产品状态已标注为停产,但在许多现有设备维护、备件更换或对成本极其敏感且不追求最新工艺的新设计中,它依然是一个经过长期市场验证的实用选择。

  • 型号:STBV42D
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-92-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 400V 1A TO-92-3
  • 系列:-
  • 包装:袋
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):400 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 250mA,750mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):1mA
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):10 @ 400mA,5V
  • 功率 - 最大值:1 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
  • 供应商器件封装:TO-92-3
  • 想获取STBV42D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STBV42D是STMicroelectronics生产的一款高压NPN双极性晶体管。该器件设计用于处理高达400V的集电极-发射极电压和1A的连续集电极电流,为核心的高压开关应用提供了坚实的电压和电流处理基础。

其关键电气参数包括在750mA Ic下的低至1.5V的饱和压降,有助于减少导通损耗,以及高达150°C的结温工作能力,确保了在严苛环境下的可靠性。采用标准的TO-92通孔封装,便于安装和替换,适用于电源启动、镇流器驱动及工业控制等领域的经典电路设计。

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