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T835H-6G-TR的图片

T835H-6G-TR

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分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRIAC ALTERNISTOR 600V 8A D2PAK
原厂封装:封装:D2PAK
优势价格,T835H-6G-TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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T835H-6G-TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

T835H-6G-TR是ST意法半导体推出的一款高性能三端双向可控硅开关元件(TRIAC),采用先进的平面钝化工艺制造,属于其Alternistor系列。该器件设计用于交流负载的相位控制与开关应用,其核心是一个无缓冲器(Snubberless)的单路双向可控硅结构,能够在两个方向上导通电流,从而实现对交流电的全波控制。其内部架构优化了载流子寿命和触发特性,确保了在宽温度范围内的稳定触发和低损耗导通。

该器件具备多项突出的功能特性。其断态重复峰值电压高达600V,为应对电网波动和感性负载关断时产生的电压尖峰提供了充足的裕量,增强了系统的可靠性。通态有效电流额定值为8A,结合其DPak(TO-263)表面贴装封装,使其能够高效处理中等功率等级的交流负载,同时优化了PCB空间利用和散热性能。其关键优势在于“无缓冲器”设计,这意味着在大多数阻性和感性负载应用中,无需外部缓冲电路(RC网络)来限制电压上升率(dv/dt),这不仅简化了外围电路设计,降低了BOM成本和PCB面积,也提高了系统的整体能效和长期可靠性。

在接口与电气参数方面,栅极触发电压(Vgt)最大值仅为1V,触发电流(Igt)最大值为35mA,表现出极高的触发灵敏度,使其能够与微控制器或逻辑电路的GPIO口直接或通过简单的驱动电路轻松接口,降低了驱动设计的复杂性。其保持电流(Ih)同样为35mA,确保了在触发后能够可靠维持导通状态。该器件具有强大的抗浪涌电流能力,在50Hz和60Hz工频下,非重复浪涌电流(Itsm)分别达到80A和84A,能够承受电机启动、白炽灯冷态冲击等瞬间大电流。其工作结温范围宽达-40°C至150°C,适用于严苛的工业与消费电子环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

基于其稳健的性能和简化的设计,T835H-6G-TR非常适合于一系列交流功率控制场景。典型应用包括家用电器中的电机速度控制(如风扇、食品加工机)、调光器、固态继电器、加热器控制以及工业自动化中的交流电磁阀、小型电机驱动器等。其表面贴装特性也使其成为空间受限的紧凑型智能家居设备和物联网(IoT)节点中实现交流开关功能的理想选择。

  • 型号:T835H-6G-TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:D2PAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
  • 描述:TRIAC ALTERNISTOR 600V 8A D2PAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断态:600 V
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):80A,84A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):35 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):35 mA
  • 配置:单路
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK
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T835H-6G-TR是ST意法半导体生产的一款600V/8A表面贴装三端双向可控硅。该器件采用无缓冲器设计,显著简化了针对阻性和感性负载的交流相位控制电路,无需外部缓冲网络即可实现可靠的开关操作,降低了系统复杂性和成本。

其核心电气参数包括高达600V的断态电压和8A的通态电流能力,确保了在中等功率应用中的稳健性能。极低的栅极触发要求(Vgt≤1V, Igt≤35mA)使其易于被微控制器驱动。宽工作结温范围(-40°C至150°C)和强大的浪涌电流承受能力(Itsm达80A/84A)使其能够适应苛刻的工业与消费电子环境。

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