STD100N10F7

STD100N10F7是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET VII技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现高功率密度与卓越的开关性能之间的平衡。其核心在于采用了DeepGATE技术，通过增强的单元密度和优化的沟槽栅极结构，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），从而在给定的芯片尺寸下实现了更高的电流处理能力。这种架构设计不仅提升了效率，也改善了器件的热性能，使其能够稳定工作在宽温度范围内。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值极低，在40A电流条件下最大值仅为8毫欧。这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值控制在61nC（@10V），结合适中的输入电容，有助于实现快速、干净的开关切换，减少开关过程中的能量损失和电磁干扰（EMI）。其栅源电压（V_GS）耐受范围达±20V，提供了稳健的驱动安全裕度。

在电气参数方面，STD100N10F7具备100V的漏源击穿电压（V_{DSS），可有效应对各种应用中的电压尖峰和浪涌。在壳温（TC）条件下，其连续漏极电流（ID）额定值高达80A，峰值电流处理能力更强。其最大功耗为120W（TC），结合DPAK（TO-252）表面贴装封装，具有良好的散热特性。该器件的工作结温范围极宽，从-55°C延伸至175°C，确保了其在苛刻环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的用户，可以通过官方授权的ST中国代理获取相关服务与资源。}

凭借其高电流能力、低导通损耗和快速开关特性，这款MOSFET非常适合用于要求高效率和高功率密度的场景。典型应用包括DC-DC转换器（尤其是同步整流和开关拓扑）、电机驱动与控制（如电动工具、无人机电调）、电源管理模块以及各类工业自动化设备中的功率开关部分。其稳健的性能使其成为在空间受限且对热管理和效率有严格要求的现代电力电子系统中的理想选择。

• 型号:STD100N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 100V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:61 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4369 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:120W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD100N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VII和DeepGATE技术制造。该器件在TO-252（DPAK）封装内集成了卓越的性能，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS、40A I_D条件下最大值仅为8mΩ，这能显著降低传导损耗，提升系统效率。

该MOSFET具备100V的漏源电压（V_DSS）和高达80A（T_C）的连续漏极电流处理能力，适用于高电流应用。其栅极电荷（Q_g）典型值较低，有利于实现快速开关，减少开关损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C）确保了其在各种环境条件下的可靠运行。