STF25NM60ND

STF25NM60ND是ST意法半导体基于其第二代FDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟槽栅极架构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在600V的高压等级下实现了优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on) * Qg），这一指标是衡量高压MOSFET开关效率与损耗的关键参数。其内部结构专为降低开关过程中的能量损耗而设计，能够有效管理高电压切换时产生的动态应力，确保在严苛的开关电源环境中保持稳定可靠的性能。

该MOSFET的核心特性体现在其高耐压与低导通损耗的平衡上。其漏源击穿电压（Vdss）高达600V，为离线式开关电源（SMPS）的功率级提供了充足的安全裕量。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为21A，而导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、10.5A电流下典型值仅为160毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在80nC（@10V），较低的Qg值意味着驱动电路所需的能量更少，有助于简化栅极驱动设计并提升开关速度，从而降低开关损耗。

在电气参数方面，该器件具备宽泛且稳健的工作范围。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，为栅极驱动提供了设计灵活性。阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，确保了良好的噪声抑制能力。输入电容（Ciss）为2400pF，结合其优化的内部结构，有助于实现快速、干净的开关转换。该器件采用TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装封装，其最大功率耗散为40W（Tc），结合高达150°C的结温（TJ）额定值，使其能够承受较高的热负荷。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取详细的技术支持与供货信息。

凭借其高压、高效、高可靠性的特点，STF25NM60ND非常适用于对能效和功率密度有较高要求的工业级应用。其典型应用场景包括服务器/电信设备的开关电源（SMPS）功率因数校正（PFC）电路和DC-DC转换器、工业电机驱动与变频器的辅助电源、以及照明系统（如LED驱动）中的功率开关部分。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数对于理解高压MOSFET在高效能量转换系统中的作用仍具有重要的参考价值。

• 型号:STF25NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF25NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）和21A（Tc）连续漏极电流，专为高压、高电流开关应用而优化。

其技术优势在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的良好平衡，导通电阻（Rds(on)）典型值低至160毫欧（@10.5A, 10V），栅极电荷（Qg）最大值仅为80nC。这一组合特性有助于显著降低功率转换系统中的传导损耗和开关损耗，从而提升整体能效。器件支持高达150°C的结温工作，并具备±25V的宽栅极驱动电压范围，确保了在工业电源、电机驱动等严苛环境下的应用鲁棒性。