STD100N3LF3

STD100N3LF3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用表面贴装型DPAK封装，专为需要高效率、高功率密度和出色热性能的应用而设计。其核心架构通过优化的单元设计和制造工艺，在导通电阻、栅极电荷和开关速度之间实现了卓越的平衡，从而显著降低了传导损耗和开关损耗，提升了系统整体能效。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源电压（Vdss）为30V，适用于低压大电流的电源环境。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）高达80A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）极低，在Vgs=10V、Id=40A的条件下，最大值仅为5.5毫欧，这意味着在导通状态下产生的热量极少，有助于提升系统可靠性。同时，其栅极驱动设计友好，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，且标准驱动电压为5V或10V，可与主流逻辑电平控制器直接兼容，简化了驱动电路设计。

在动态性能方面，STD100N3LF3同样表现优异。其栅极电荷（Qg）在Vgs=5V时最大值仅为27nC，较低的栅极电荷有助于实现更快的开关速度并降低驱动损耗。其输入电容（Ciss）在Vds=25V时最大值为2060pF，结合其优良的开关特性，使其在高频开关应用中游刃有余。器件的栅源电压（Vgs）可承受±20V的极限值，提供了可靠的过压保护裕量。其最大功率耗散为110W（Tc），结合DPAK封装良好的热传导路径，确保了在高负载下的稳定运行。其结温工作范围宽广，从-55°C延伸至175°C，能够适应严苛的环境要求。

凭借上述特性，这款MOSFET非常适合作为同步整流器、电机驱动H桥中的开关管，或用于DC-DC转换器、负载开关及电池保护电路等场景。在这些应用中，其低导通电阻和高电流能力有助于提升功率转换效率，而其快速的开关特性则能满足高频电源设计的需求。对于需要可靠供应链和本地技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源，以确保项目的顺利推进和产品的长期稳定供应。

• 型号:STD100N3LF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2060 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD100N3LF3是意法半导体推出的一款采用STripFET II技术的N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。该器件额定漏源电压为30V，在25°C壳温下可支持高达80A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压、40A电流条件下最大值仅为5.5毫欧，能显著降低导通损耗。

此外，其栅极电荷最大值仅为27nC（@5V），结合2.5V的栅极阈值电压，确保了快速、高效的开关性能，并易于由标准逻辑电平驱动。其工作结温范围覆盖-55°C至175°C，最大功率耗散为110W，具备出色的热性能和可靠性，适用于高效率DC-DC转换、电机控制及电源管理等高要求应用。