STI23NM60N

STI23NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟槽栅极结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。这种架构的核心优势在于实现了低开关损耗与低导通损耗的出色平衡，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。其600V的漏源击穿电压（V_DSS）为设计提供了充足的电压裕量，确保在工业级应用中的高可靠性。

该MOSFET的关键电气特性使其在同类产品中具备竞争力。在25°C壳温（T_C）下，其连续漏极电流（I_D）额定值为19A，最大功耗为150W，展现了强大的电流处理与散热能力。其导通电阻在10V栅源驱动电压（V_GS）和9.5A漏极电流条件下，典型值仅为180毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗极低。同时，其栅极总电荷（Q_g）最大值仅为60nC（@10V），结合适中的输入电容（C_iss），共同决定了快速的开关速度，有助于减少开关过渡过程中的能量损失，并允许使用更小、更经济的栅极驱动器。

在接口与参数方面，STI23NM60N采用通孔安装的I2PAK封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热性能，便于通过散热器进行高效的热管理。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大可承受±25V的栅源电压，为驱动电路设计提供了灵活性。阈值电压V_GS(th)最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能使其在特定存量市场和替代设计中仍有需求，用户可通过正规的ST授权代理渠道获取库存或替代方案咨询。

得益于其高电压、低损耗的特性组合，STI23NM60N非常适用于要求高效率和高可靠性的离线式开关电源（SMPS）拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、硬开关和软开关拓扑的DC-DC转换器。此外，它也常见于工业电机驱动、不间断电源（UPS）、电焊机及照明镇流器等应用场景，作为主功率开关元件，负责高效的能量切换与控制。

• 型号:STI23NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI23NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用先进的垂直沟槽技术，核心优势在于实现了600V高阻断电压与低导通电阻（典型值180mΩ @10V）的优异结合，同时具备低栅极电荷（最大60nC），这共同确保了其在开关电源应用中能够实现高效率与低损耗的功率转换。

其额定连续漏极电流高达19A（T_C=25°C），最大功耗为150W，采用坚固的I2PAK通孔封装，提供了强大的电流处理能力和良好的散热特性。这些参数使其成为工业级电源、电机驱动和功率转换系统中主开关管的可靠选择，旨在优化系统的能效与功率密度。