STD100NH03LT4

STD100NH03LT4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用表面贴装型DPAK封装，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）之间的平衡，通过精细的沟槽栅极工艺，在紧凑的芯片面积内实现了极低的导通损耗，这是其高电流处理能力的基础。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的导通性能与开关特性的均衡。在10V驱动电压（V_GS）下，其导通电阻典型值低至5.5毫欧（在30A电流条件下），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值仅为77nC，结合4100pF的输入电容（C_iss），确保了快速的开关切换速度，有助于降低开关损耗，特别适用于高频开关应用。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为2.5V，与标准的5V或更高逻辑电平驱动兼容性良好。

在电气参数方面，STD100NH03LT4具备30V的漏源击穿电压（V_DSS），在壳温（T_C）条件下可连续通过高达60A的漏极电流，最大功率耗散为100W。其坚固的设计支持±20V的栅源电压，提供了较强的栅极抗干扰能力。宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C）使其能够适应苛刻的环境要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取该产品的技术支持和库存信息。

凭借上述特性，这款MOSFET非常适合应用于对效率和空间有严格要求的DC-DC转换器、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理模块中。例如，在同步整流、负载开关和电机H桥驱动等场景中，其低R_DS(on)和高电流能力能够显著减少热设计难度，提升整体系统可靠性。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中，它仍然是一个经典的高性能选择。

• 型号:STD100NH03LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:77 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4100 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD100NH03LT4是ST意法半导体推出的一款采用STripFET III技术的N沟道功率MOSFET，封装形式为表面贴装DPAK。该器件核心优势在于其极低的导通电阻与优异的开关性能组合，旨在最大化功率转换效率。

其关键电气参数包括30V的漏源电压（V_DSS）和高达60A（T_C）的连续漏极电流处理能力。在10V V_GS驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为5.5毫欧（@30A），同时栅极电荷（Q_g）被控制在77nC（@10V）以内，这共同确保了在高中频开关应用中兼具低传导损耗与低开关损耗。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，适用于环境要求严苛的应用场景。